Обзор и тестирование шести модулей оперативной памяти DDR4-2133 Crucial CT8G4DFS8213 объемом 8 Гбайт
реклама
Оглавление
- Вступление
- Обзор Crucial CT8G4DFS8213
- Методика тестирования
- Тестовый стенд
- Тестирование разгонного потенциала
- Заключение
Вступление
С тех пор, как AMD выпустила свою процессорную архитектуру «Zen», выяснилось, что новинке довольно-таки желательна именно быстрая память, а не абы что. Причем уже DDR4, а не DDR3 – последняя Socket AM4 не поддерживается. Поэтому запасами старых модулей при апгрейде уже не обойтись. Попробуем снова погонять оперативную память? Благодаря нашему постоянному партнеру – компании Регард, нашей «жертвой» сегодня станет продукция Micron: шесть модулей DDR4-2133 объемом 8 Гбайт, выпущенных под торговой маркой Crucial. |
Исследуем разгонный потенциал бюджетной оперативной памяти: шесть модулей SK Hynix DDR3-1600 HMT451U6BFR8A объемом 4 Гбайт Оперативную память мы тестируем регулярно, но сложилось так, что в центре внимания оказывались лишь брендовые модули. А различные дешевые планки, способные продемонстрировать отменный разгонный потенциал, долгое время оставались вне прицела наших экспериментов. Этим материалом мы исправим данное упущение. |
реклама
Обзор Crucial CT8G4DFS8213
Упаковка и комплектация
Модули поставляются в пластиковых блистерах – каждый упакован отдельно.
Подобный подход нельзя не оценить по достоинству: на модулях не будет царапин от небрежного обращения в процессе доставки в торговую точку, а также – снесенных с печатной платы элементов.
реклама
Дизайн и особенности модулей памяти
Модули являются одноранговыми («Single Rank») односторонними.
На этикетках присутствует указание производителя (Micron) и розничной торговой марки (Crucial), наименование серии (CT8G4DFS8213), тип (DDR4 UDIMM), частота (2133 МГц), объем модуля (8 Гбайт), серийный номер (цифро-буквенный код, в случае на фото – «E033B78D3), тайминг CAS Latency (CL15) и рабочее напряжение (1.2 В).
Этикетка, кстати, скрывает не только часть микросхем DRAM, но и микросхему SPD.
Количество слоев металлизации можно посчитать только визуально, на печатной плате нет никакой явной маркировки.
Судя по всему, их восемь (но нужно учитывать, что все слои задействуются далеко не всегда). Также на печатной плате присутствует маркировка «Levin GTW 18 V-0 633-01», расшифровать которую мне не по силам.
Массив памяти DRAM набран микросхемами Micron C9BGN.
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила