Обзор и тестирование SSD-накопителя Silicon Power S55 120 Гбайт (SP120GBSS3S55S25) (страница 2)
реклама
Программная часть
Как уже привычно для решений Phison, SMART беден. Впрочем, рядовой пользователь навряд ли будет слишком разочарован.
В наличии есть параметры, отображающие данные по времени работы накопителя в часах (09), а также объем записанных по интерфейсу данных (F1). Термомониторинг отсутствует – отображаемое CDI значение является банальной программной «заглушкой».
Фирменное программное обеспечение Silicon Power скромно: на сайте можно загрузить приложение «SSD firmware update software», вся задача которого сводится к поиску накопителя Silicon Power в системе и загрузке соответствующего ему приложения от разработчика аппаратной платформы.
реклама
В нашем случае загружается SSD Toolbox старого дизайна Phison.
Герой нашего обзора опознается и обновленной версией приложения Phison:
Пытаемся определить аппаратную платформу по прошивке
Вот и все. Или не все? Действительно – не все. Самым насущным вопросом после всего вышесказанного для рядового пользователя станет один: как определить аппаратную платформу, если довелось обзавестись накопителем именно Silicon Power? Рецепт на самом деле универсальный, хотя и не совсем надежный.
реклама
Необходимо обратить внимание на версию прошивки:
- Обозначение вида «S8FM**.*» – Phison PS3108-S8 + MLC NAND (ассортимент широк);
- Обозначение вида «S9FM**.*» – Phison PS3109-S9 + MLC NAND (ассортимент широк);
- Обозначение вида «SAFM0*.*» или «SAFC0*.*» – Phison PS3110-S10 + MLC NAND (19 нм Toshiba или 20 nm Micron/Intel);
- Обозначение вида «SAFM1*.*» или «SAFC1*.*» – Phison PS3110-S10 + TLC NAND Toshiba (19 нм и 15 нм);
- Обозначение вида «SAFZ1*.*» – Phison PS3110-S10 + 15 нм TLC NAND Toshiba;
- Обозначение вида «5**ABBF*» или «6**ABBF*» – SandForce SF2281/SF2241 + MLC NAND (ассортимент широк);
- Обозначение вида «20141516» – Silicon Motion SM2242XT + MLC NAND (ассортимент широк);
- Обозначение вида «N0815B» – Silicon Motion SM2246EN + MLC NAND (ассортимент широк, обычно 20 нм Micron).
Отметим, что это не теория, а список того, что реально встречалось и встречается в накопителях Silicon Power. Учитывая все нарастающую популярность новой платформы Silicon Motion, есть все шансы вскорости увидеть еще один вариант:
- Обозначение вида «O****» (например, «O0730A», «O0521A», «O0803B5») – Silicon Motion SM2256K + 16 нм TLC NAND SK Hynix.
Немаловажный момент: версия прошивки – это лишь один из целого ряда признаков, используемых при опознании накопителя при невозможности его вскрытия. Причем не самый надежный. Всегда существует шанс нарваться на «кастомную» партию, где версия прошивки будет изменена на произвольную. Хотя конкретно с Silicon Power это маловероятно.
Стабильность скоростных характеристик и температурный режим
С помощью CrystalDiskMark (64bit) 3.0.1 в режиме случайных данных производится замер производительности четыре раза:
- Изначальное состояние нового накопителя («нулевое» состояние);
- После проведения всего цикла тестов происходит заполнение диска пользовательскими данными из предыдущего раздела статьи (с файлами word, фотоснимками, аудио- и видеозаписями), таким образом, чтобы суммарный объем записанных данных был не менее трехкратного общего объема накопителя;
- Тридцатиминутный простой, в течение которого не производится каких-либо операций с SSD – для работы фоновых функций накопителя по уборке «мусора»;
- Выполнение команды TRIM силами операционной системы.
Затем производится полная очистка накопителя путем подачи команды Secure Erase, после чего запускается тест Disk Benchmark из состава AIDA64 в режиме «Write» (размер блока установлен равным 1 Мбайт) – данный тест производит линейную запись всего объема носителя, попутно выводя информацию о процессе записи в виде удобного графика. Этот тест позволяет нам увидеть, насколько в целом накопитель стабилен, не возникает ли перегрева и какие, возможно, алгоритмы реализованы в микропрограмме.
И в заключение (также после выполнения команды Secure Erase) производится тестирование с помощью Iometer.
- Имитируется работа накопителя в условиях нагрузки, близкой к серверной (непрерывная случайная запись блоками 4 Кбайт по всему объему с глубиной очереди запросов 32) при отсутствии TRIM. Именно так, к примеру, работают базы данных: создается один или энное число больших файлов, внутри которых выполняются операции чтения/записи, генерации команды TRIM при этом не происходит. Тест проводится непрерывно в течение двух часов, при этом ежесекундно снимаются показатели быстродействия. Итоги данного теста позволяют нам увидеть возможности подопытного как в «чистом», так и в «использованном» состояниях (достижение состояния «устоявшейся производительности»).
- По завершении этого теста проделаем еще один, целью которого будет выяснение того, насколько хорошо работают алгоритмы «сборки мусора» (Garbage Collection). На итоговом графике присутствуют скоростные показатели накопителя в четырех ситуациях: состояние «чистого» массива ячеек (после команды Secure Erase), после непрерывной нагрузки в течение двух часов в условиях отсутствия команды TRIM, после простоя 30 минут, которых должно хватить накопителю для отработки внутренних алгоритмов «сборки мусора», после выполнения команды TRIM на весь объем накопителя. Тест довольно специфический, и его результаты важны для тех, кто нацелен на эксплуатацию в условиях работы без TRIM (старые операционные системы, некоторые RAID-массивы, в качестве внешнего накопителя – через адаптер SATA-USB).
Silicon Power S55 120 Гбайт (SP120GBSS3S55S25)
Может показаться, что накопитель не справляется с нагрузками. Это и так, и не так. Формально не справляется. Но технически это особенности SLC-режима, которым оснащен рассматриваемый образец Silicon Power S55 – при интенсивных нагрузках микропрограмма не успевает расчистить SLC-буфер, а потому мы встречаемся с «чистой» скоростью записи массива памяти.
Если же накопителю дать роздых, а не непрерывно писать на него что-то, то микропрограмма успевает расчистить достаточный объем памяти под SLC-буфер.
С линейной перезаписью всего объема у накопителя не возникает проблем, тут «бутылочным горлышком» архитектуры становится флеш-память. В целом на графике отлично виден так называемый SLC-режим, когда часть данных записывается в «ускоренном» режиме. И вот тут обнаруживается сюрприз: размер области памяти, выделяемой под SLC-режим, составляет примерно 3% пользовательского объема. Иначе говоря, немногим больше трех гигабайт. Это ровно вдвое больше, нежели следовало ожидать.
Напомним, что в конфигурациях, основанных на 19 нм TLC NAND Toshiba и контроллере Phison S10, на объемах 120-128 Гбайт было выделено под SLC-режим около одного гигабайта (Kingston UV300, Patriot Blast). Обновленные конфигурации на 15 нм TLC NAND Toshiba, судя по показателям OCZ Trion 150 240 Гбайт, должны предлагать примерно полутора гигабайт (на практике нам не доводилось тестировать такие объемы), но мы видим больше трех.
Похоже, размер SLC-буфера на самом деле является относительно свободно варьируемым, а его удвоение в конфигурациях на 15 нм TLC NAND Toshiba оказывается исключительно маркетинговым приемом для повышения привлекательности новинки.
реклама
Если на линейной записи накопитель мог записать три гигабайта данных, то на рандомной мелкоблочной записи пишется лишь около двух с половиной гигабайт.
Из положительных моментов можно отметить то, что разброс показателей моментальной производительности, присущий до сих пор решениям Phison, практически исчез. Некоторые колебания остались, но они разовые. Для «бытовой» эксплуатации это несущественно, но представляет определенный интерес.
Здесь мы можем наблюдать, что даже в условиях отсутствия команды TRIM некоторая часть данных записывается на полной скорости. Налицо проработанные алгоритмы «сборки мусора». Другое дело, что их мог предложить и OCZ Trion 150, сюрпризов здесь нет.
реклама
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила