APPLE iPhone 7
256Gb
Цена 74'990 руб.
Palit GeForce GTX 1080
GameRock
Цена 47'960 руб.
ASUS RX 480
DUAL OC
Цена 19'770 руб.

Сервера размещены в

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+4 за неделю, всего: 26903) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • R9 FURY за копейки в Регарде, смотри!!!
  • Еще один нереф GTX 1060 дешевле 15 т.р.
  • Открыты вакансии веб-дизайнера и программиста

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт

S_A_V 16.05.2012 00:00 Страница: 4 из 4 | ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x300  10 KB. Big one: 522x1447  33 KB

График с результатами разгона:

600x400  15 KB

Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x300  10 KB. Big one: 522x1651  39 KB

График с результатами разгона:

600x450  18 KB

Оптимальные тайминги:

  • X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
  • X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).

Реакция на изменение напряжения:

  • С ровными таймингами: отсутствует;
  • С оптимальными таймингами:
    • От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
    • От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
    • От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).

Минимальные тайминги для стандартных частот:

  • Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
  • Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 7-8-8-15 1T;
  • Для частоты 1866 МГц с напряжением 1.50 В: 8-10-10-15 1T;
  • Для частоты 2133 МГц с напряжением 1.50 В: 9-11-11-15 1T.

Десятиминутная проверка в LinX:

300x240  17 KB. Big one: 1280x1024  47 KB

Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:

407x389  9 KB

И в завершение еще один тест - возможность совместной работы шести модулей на микросхемах трех разных типов (Samsung M378B1G73BH0-CH9, Patriot_PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC) общим объемом 48 Гбайт в трехканальном режиме на материнской плате ASUS Rampage III Black Edition на частоте 1465 МГц (тайминги не оптимизировалась).

407x392  12 KB

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт

Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.

Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).

По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт на модуль
и использованных в них микросхем

Производитель
модуля
Маркировка
модуля
Тип памяти
Объём, Мбайт
Производитель
микросхем
Маркировка
микросхем
A-DATA
AD3U1333W8G9-2
DDR3-1333
2x8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
A-DATA
AXDU1333GW8G9-2G
DDR3-1333
2x8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
A-DATA
EL64C1D1624Z1
DDR3-1600
8192
Elpida
J4208BBBG-GN-F
A-DATA
SU3U1333W8G9
DDR3-1333
8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
AMD Memory (Patriot)
AE38G1601U2
DDR3-1600
2x8192
Micron
D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Corsair
Dominator CMP32GX3M4X1600C10
DDR3-1600
4x8192
Elpida
Corsair
Dominator GT CMT32GX3M4X1866C9
DDR3-1866
4x8192
Micron
Corsair
Vengeance CMZ8GX3M1A1600C10
DDR3-1600
8192
Elpida
Corsair
Vengeance CMZ16GX3M2A1600C10
DDR3-1600
2x8192
Elpida
Corsair
Vengeance CMZ32GX3M4X1600C10
DDR3-1600
4x8192
Elpida
Corsair
Vengeance CMZ16GX3M2A1866C10
DDR3-1866
2x8192
Micron
Corsair
Vengeance CMZ32GX3M4X1866C10
DDR3-1866
4x8192
Micron
Corsair
XMS3 CMX8GX3M1A1333C9
DDR3-1333
8192
Elpida
Corsair
XMS3 CMX16GX3M2A1600C11
DDR3-1600
2x8192
Elpida
Corsair
XMS3 CMX32GX3M4A1600C11
DDR3-1600
4x8192
Elpida
Crucial
CT102464BA1339
DDR3-1333
8192
Micron
D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial
CT2KIT102464BA1339
DDR3-1333
2x8192
Micron
D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial
CT3KIT102464BA1339
DDR3-1333
3x8192
Micron
D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
GeIL
GB316GB1600C10DC
DDR3-1600
2x8192
Elpida
Elpida B-Die (remarked)
G.Skill
F3-1866C10D-16GAB
DDR3-1866
2x8192
Micron
D9NZZ (MT41K512M8RA-15E: D)
G.Skill
F3-2133C9Q-32GXH
DDR3-2133
4x8192
Samsung
Hynix
HMT41GU6MFR8C-H9
DDR3-1333
8192
Hynix
H5TQ4G83MFR-H9C
Hynix
HMT41GU6MFR8C-PB
DDR3-1600
8192
Hynix
H5TQ4G83MFR-PBC
Kingston
KVR1333D3N9/8G
DDR3-1333
8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
J4208EASE-DJ-F
Mushkin
Model 992017
DDR3-1333
8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
Mushkin
Model 997017
DDR3-1333
2x8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
Mushkin
Model 999017
DDR3-1333
3x8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
Mushkin
Model 994017
DDR3-1333
4x8192
Elpida
J4208BASE-DJ-F
NCP
NCPH10AUDR-13M28
DDR3-1333
8192
Elpida
Elpida B-Die (remarked)
Patriot
PGD332G1333ELQK
DDR3-1333
8192
Micron
D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Patriot
PSD38G13332
DDR3-1333
4x8192
Micron
D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Samsung
M378B1G73AH0-CH9
DDR3-1333
8192
Samsung
SEC K4B4G0846A-HCH9
Samsung
M378B1G73BH0-CH9
DDR3-1333
8192
Samsung
SEC K4B4G0846B-HCH9
SanMax
SMD-16G28NP-16K-D-BK
DDR3-1600
2x8192
Elpida
J4208BBBG-GN-F
SanMax
SMD-32G28NP-16K-Q-BK
DDR3-1600
4x8192
Elpida
J4208BBBG-GN-F
SanMax
SMD-16G28CP-16K-D-BK
DDR3-1600
2x8192
Micron
D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
SanMax
SMD-32G28CP-16K-Q-BK
DDR3-1600
4x8192
Micron
D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Silicon Power
SP008GBLTU133N02
DDR3-1333
8192
Elpida
Elpida B-Die (remarked)
Transcend
TS1GLK64V3H
DDR3-1333
8192
Micron
D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)

Заключение

В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.

Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.

Теперь рассмотрим преимущества и недостатки отдельно по каждому типу протестированных модулей памяти.


Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.


NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.


Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.


GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта

[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.


Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.


Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.


С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:

  • Elpida. Не способны работать на частотах выше 1600 МГц, да и эту частоту берут далеко не все экземпляры. Модули памяти, основанные на четырехгигабитных микросхемах Elpida ревизии A (J4208BASE, J4208EASE и прочие) отличаются высокой ценой и вероятно скоро исчезнут из продажи. Микросхемы Elpida ревизии B (J4208BBBG и другие), наоборот, используются в самых дешевых (с номиналом 1333 и 1600 МГц) модулях объемом 8 гигабайт многими производителями (A-DATA, Corsair, Mushkin и другие), и со временем их ассортимент будет только больше. Выбор тех, кого не волнует разгон памяти, главное, чтобы она работала и стоила как можно меньше.

  • Micron. Память среднего уровня, способная достигать частот 1866-2000 (2133 МГц), в зависимости от удачности и типа использованных микросхем (D9PCH, D9PBC, D9NZZ). Помимо продукции Crucial их можно встретить и в основе других бюджетных модулей, например, Patriot Memory. Есть вероятность найти Micron в комплектах Corsair и G.Skill с номиналом 1866 МГц, поскольку Elpida для них уже не подходит по частотному потенциалу, а Samsung разумнее использовать только в самых дорогих и быстрых комплектах. По цене Micron немного дороже, чем Elpida ревизии B, но существенно дешевле, чем Samsung. Выбор экономных оверклокеров, которым не трудно переплатить сотню-две рублей за каждый модуль, чтобы получить хоть какой-то разгон, но не готовых платить двойную цену за Samsung или ждать пока цены на 8 Гбайт модули окончательно стабилизируются и сравняются (как это уже давно произошло с ценами на память объемом 4 Гбайта).

  • Samsung. На данный момент это лучшая для разгона память с плотностью 4 гигабита, но она же и самая дорогая. Микросхемы Samsung способны работать на частотах, значительно превышающих 2 ГГц. Встретить можно либо в виде оригинальных модулей Samsung, либо в топовых «оверклокерских» комплектах (например, производства G.Skill или GeIL), рассчитанных на номинальные частоты от 2133 МГц и выше. Эта память для тех, кто хочет получить не только большой объем, но и высокие частоты. Комплекты памяти объемом 64 Гбайта (8x8192 Мбайта), работающие на частотах 2133-2400 МГц, обойдутся вам в $800-950, не считая пересылки в Россию. Отдельные модули Samsung Original уже можно купить в России, и они немного дешевле «оверклокерских» комплектов, но даже их не каждый энтузиаст может себе позволить.

Неясными остаются только возможности 4 Гбит микросхем Nanya (Elixir) и Hynix. Найти в продаже модули памяти на их основе пока не удалось. Но если учесть, что после увеличения плотности микросхем от 2 до 4 Гбит расстановка сил между Elpida, Micron и Samsung в целом осталась прежней, то можно предположить, что от Nanya (Elixir) ничего особенного ждать не стоит, а Hynix снова может составить конкуренцию Samsung. Но это уже тема для отдельного исследования.

S_A_V

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Крутой обвал цен на GTX 1080, самая низкая в XPERT.RU
  • GTX 980 Ti - цена рухнула!
  • GTX 1060 MSI за 15 т.р.




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)