Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 4)
реклама
Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
реклама
Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.
Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
реклама
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги:
- X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
- X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).
Реакция на изменение напряжения:
- С ровными таймингами: отсутствует;
- С оптимальными таймингами:
- От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
- От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
- От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).
Минимальные тайминги для стандартных частот:
- Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
- Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 7-8-8-15 1T;
- Для частоты 1866 МГц с напряжением 1.50 В: 8-10-10-15 1T;
- Для частоты 2133 МГц с напряжением 1.50 В: 9-11-11-15 1T.
Десятиминутная проверка в LinX:
Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:
И в завершение еще один тест - возможность совместной работы шести модулей на микросхемах трех разных типов (Samsung M378B1G73BH0-CH9, Patriot_PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC) общим объемом 48 Гбайт в трехканальном режиме на материнской плате ASUS Rampage III Black Edition на частоте 1465 МГц (тайминги не оптимизировалась).
Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт
Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.
Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).
По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.
реклама
и использованных в них микросхем
модуля |
модуля |
|
|
микросхем |
микросхем |
A-DATA |
|
|
|
|
|
A-DATA |
|
|
|
|
|
A-DATA |
|
|
|
|
|
A-DATA |
|
|
|
|
|
AMD Memory (Patriot) |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Corsair |
|
|
|
|
|
Crucial |
|
|
|
|
|
Crucial |
|
|
|
|
|
Crucial |
|
|
|
|
|
GeIL |
|
|
|
|
|
G.Skill |
|
|
|
|
|
G.Skill |
|
|
|
|
|
Hynix |
|
|
|
|
|
Hynix |
|
|
|
|
|
Kingston |
|
|
|
|
J4208EASE-DJ-F |
Mushkin |
|
|
|
|
|
Mushkin |
|
|
|
|
|
Mushkin |
|
|
|
|
|
Mushkin |
|
|
|
|
|
NCP |
|
|
|
|
|
Patriot |
|
|
|
|
|
Patriot |
|
|
|
|
|
Samsung |
|
|
|
|
|
Samsung |
|
|
|
|
|
SanMax |
|
|
|
|
|
SanMax |
|
|
|
|
|
SanMax |
|
|
|
|
|
SanMax |
|
|
|
|
|
Silicon Power |
|
|
|
|
|
Transcend |
|
|
|
|
|
Заключение
В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.
Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.
Теперь рассмотрим преимущества и недостатки отдельно по каждому типу протестированных модулей памяти.
Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.
NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.
Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.
GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта
[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.
Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.
С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:
- Elpida. Не способны работать на частотах выше 1600 МГц, да и эту частоту берут далеко не все экземпляры. Модули памяти, основанные на четырехгигабитных микросхемах Elpida ревизии A (J4208BASE, J4208EASE и прочие) отличаются высокой ценой и вероятно скоро исчезнут из продажи. Микросхемы Elpida ревизии B (J4208BBBG и другие), наоборот, используются в самых дешевых (с номиналом 1333 и 1600 МГц) модулях объемом 8 гигабайт многими производителями (A-DATA, Corsair, Mushkin и другие), и со временем их ассортимент будет только больше. Выбор тех, кого не волнует разгон памяти, главное, чтобы она работала и стоила как можно меньше.
- Micron. Память среднего уровня, способная достигать частот 1866-2000 (2133 МГц), в зависимости от удачности и типа использованных микросхем (D9PCH, D9PBC, D9NZZ). Помимо продукции Crucial их можно встретить и в основе других бюджетных модулей, например, Patriot Memory. Есть вероятность найти Micron в комплектах Corsair и G.Skill с номиналом 1866 МГц, поскольку Elpida для них уже не подходит по частотному потенциалу, а Samsung разумнее использовать только в самых дорогих и быстрых комплектах. По цене Micron немного дороже, чем Elpida ревизии B, но существенно дешевле, чем Samsung. Выбор экономных оверклокеров, которым не трудно переплатить сотню-две рублей за каждый модуль, чтобы получить хоть какой-то разгон, но не готовых платить двойную цену за Samsung или ждать пока цены на 8 Гбайт модули окончательно стабилизируются и сравняются (как это уже давно произошло с ценами на память объемом 4 Гбайта).
- Samsung. На данный момент это лучшая для разгона память с плотностью 4 гигабита, но она же и самая дорогая. Микросхемы Samsung способны работать на частотах, значительно превышающих 2 ГГц. Встретить можно либо в виде оригинальных модулей Samsung, либо в топовых «оверклокерских» комплектах (например, производства G.Skill или GeIL), рассчитанных на номинальные частоты от 2133 МГц и выше. Эта память для тех, кто хочет получить не только большой объем, но и высокие частоты. Комплекты памяти объемом 64 Гбайта (8x8192 Мбайта), работающие на частотах 2133-2400 МГц, обойдутся вам в $800-950, не считая пересылки в Россию. Отдельные модули Samsung Original уже можно купить в России, и они немного дешевле «оверклокерских» комплектов, но даже их не каждый энтузиаст может себе позволить.
Неясными остаются только возможности 4 Гбит микросхем Nanya (Elixir) и Hynix . Найти в продаже модули памяти на их основе пока не удалось. Но если учесть, что после увеличения плотности микросхем от 2 до 4 Гбит расстановка сил между Elpida, Micron и Samsung в целом осталась прежней, то можно предположить, что от Nanya (Elixir) ничего особенного ждать не стоит, а Hynix снова может составить конкуренцию Samsung. Но это уже тема для отдельного исследования.
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила