Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)
реклама
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
Проведенное некоторое время назад тестирование бюджетных модулей памяти объемом 4 Гбайта, основанных на микросхемах Hynix, Samsung, Micron и Elpida, показало, что именно первые два производителя выпускают наиболее интересные (с точки зрения разгонного потенциала) микросхемы памяти. Поэтому в тестировании модулей объемом 8 Гбайт не обошлось без участия представителей Samsung. Что касается Hynix, то судя по информации на сайте , у этого производителя также есть микросхемы и модули такого объема, но найти их в продаже пока не удалось.
В очередной раз оригинальные модули Samsung попали на тестирование в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации.
Модуль памяти стандартного размера, выполнен на печатной плате традиционного для Samsung зеленого цвета. Шестнадцать микросхем установлены с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.
реклама
На наклейке указана маркировка модуля (M378B1G73BH0-CH9), его объем (8 Гбайт), рейтинг (PC3-10600), дата (6 неделя 2012 года) и страна производства (Китай).
Компания Samsung использует микросхемы собственного производства. В данном случае это четырехгигабитные SEC K4B4G0846B-HCH9, выпущенные на 4-й неделе 2012 года. Они рассчитаны на частоту 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1717 Кбайт).
Информация на случай изменения маркировки: размер микросхем 10.0x11.0 мм, дизайн точки в левом нижнем углу – четыре вертикальные линии внутри круга, но при этом сама точка заметно меньше, чем у Elpida.
Микросхема SPD:
реклама
Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: samsung_m378b1g73bh0-ch9_spd.
Samsung M378B1G73BH0-CH9 использует печатную плату с маркировкой CK 77-13.
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
- Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
- Термопаста: Arctic Cooling MX-2;
- Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
- Оперативная память:
- Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- Kingston KVR1333D3N9-8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
- Видеокарта: Palit GeForce 7300GT Sonic, 256 Мбайт GDDR3, PCI-E;
- Накопители:
- SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
- HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
- Блок питания: Enermax Revolution 85+ ERV1050EWT, 1050 Вт.
Программное обеспечение:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Методика тестирования
Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой ЦП на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.
Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе - это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например, до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.
При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.
Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). Этот же профиль был использован и для модулей объемом 8 Гбайт. После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:
Единственный тайминг, который был проверен отдельно - Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.
Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5, общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось на лету при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.
Все модули проверялись со следующим набором напряжений:
- Номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
- Номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
- Номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).
реклама
Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.
Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.
Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, поскольку ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +25°C.
Результаты разгона
Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229.
Кроме проверки разгонного потенциала, каждый тип памяти был проверен на минимальные тайминги для стандартных частот (1333, 1600, 1866, 2133 МГц) и напряжения (1.50 В).
Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения: слабая и не зависит от установленных таймингов.
Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.
NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения:
- На номинальной и более низкой частоте: практически отсутствует;
- После разгона до 1500-1600 МГц: крайне слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.75 В.
Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.
Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
График с результатами разгона:
Один из двух модулей Patriot PSD38G13332 оказался заметно хуже второго (примерно на 100-150 МГц). При переразгоне он переставал определяться материнской платой, в то время как второй модуль продолжал стабильно работать на более высоких частотах. Чтобы убедится в том, что это именно разница их разгонного потенциала, а не сложность совместной работы в двухканальном режиме (с этим не было проблем не только у Patriot PSD38G13332, но и у остальных протестированных модулей), оба модуля дополнительно были проверены по отдельности. Полученные на двух модулях результаты показывают потенциал худшего из них.
Оптимальные тайминги:
- X-X-(X-2) на средних частотах (1600-1875 МГц);
- X-X-(X-1) на низких частотах (около 1333 МГц).
Реакция на изменение напряжения: не зависит от установленных таймингов.
- от 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
- от 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (20-30 МГц);
- от 1.75 B до 1.85 B: отсутствует.
Минимальные тайминги для стандартных частот:
- Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
- Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-10-8-15 1T.
GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
Профиль XMP, устанавливающий частоту 1600 МГц с таймингами 10-10-10-28 и напряжением 1.50 B:
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-X-(X-1).
RAS Precharge (tRP) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL) без потери по частоте.
RAS to CAS Delay (tRCD) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL), но с потерей 50-70 МГц.
Реакция на изменение напряжения:
- при tRCD = tCL: частота изменяется в пределах 10 МГц на каждые 0.10 В.
- при tRCD = tCL - 1: отсутствует.
Минимальные тайминги для стандартных частот:
- Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
- Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-9-9-15 1T.
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила