ASUS GeForce GTX 1070
STRIX-GTX1070-O8G-GAMING
Цена 38'890 руб.
Gigabyte GeForce GTX 1080
GV-N1080G1 GAMING-8GD
Цена 54'990 руб.
MSI GeForce GTX 1080
GAMING X 8G OC
Цена 55'990 руб.

Сервера размещены в

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+2 за неделю, всего: 26884) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Новейшая GTX 1060 KFA2 в Регарде дешево
  • Новейшая GTX 1060 KFA2 EX OC тоже дешево
  • Выиграй Porsche Cayenne!

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Разгон бюджетных модулей памяти Hynix и Samsung объемом 4 Гбайта

S_A_V 16.02.2012 00:00 Страница: 3 из 3 | ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822. Профили EPP/XMP/BEMP отсутствуют, что не удивительно для бюджетной памяти, которую производитель тестирует только в режимах, являющихся штатными для используемых микросхем.

Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x313  10 KB. Big one: 522x1558  36 KB

График с результатами разгона:

543x437  14 KB

Память на микросхемах Hynix оправдала ожидания, продемонстрировав разгон почти до двух с половиной гигагерц, что составляет 187% от своей номинальной частоты. Также она показала хороший, почти линейный рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.75 В, но только на правильно подобранных таймингах. Для микросхем Hynix H5TQ2G83xFR-H9C тайминги лучше всего устанавливать по формуле X-(X+2)-(X+1), то есть tRCD на двойку больше tCL и tRP на единицу больше tCL. Для достижения высоких частот tRAS лучше устанавливать не ниже 28, а на не очень высоких частотах (до 2000-2100 МГц) можно использовать и более низкие значения для этого тайминга. В любом случае заметного влияния на производительность tRAS почти не оказывает. У данной памяти нет никаких проблем с работой Command Rate в значении 1T на всем диапазоне частот, повышение его до 2T не приводит к их увеличению.

На «ровных» таймингах рост частоты от напряжения выше штатного 1.50 В почти отсутствует и предел по частотам с ними гораздо ниже. Установка напряжений выше 1.75 В (были проверены до 1.90 В) уже не приводит к дальнейшему росту частоты, а только увеличивает нагрев. Установка таймингов выше 11-13-12-28 1T также не приводит к увеличению частоты, а при использовании «семерок» или ниже нормального разгона уже не получается.

Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x298  9 KB. Big one: 522x1558  37 KB

График с результатами разгона:

450x340  10 KB

Разгон памяти Samsung на микросхемах SEC K4B2G0846C-HCH9 тоже оказался неплох – до 2220 МГц по частоте, чего вполне достаточно для систем на основе процессоров Sandy Bridge, даже с небольшим повышением BCLK до 104 МГц.

Рост частоты от напряжения в интервале от 1.35 В до 1.50 В наблюдается при любых сочетаниях таймингов, а от 1.50 В до 1.65 В только при правильно подобранных. Выше 1.65 В реакция на напряжение почти отсутствует. Подняв его до 1.80-1.85 В можно получить как максимум еще один-два шага по частоте, то есть прирост составит не более 10-20 МГц. Повышение напряжения выше 1.65 В нерационально для микросхем Samsung C0, за исключением случаев, когда потенциала памяти немного не хватает, например, до достижения стандартной для Sandy Bridge частоты в 2133 МГц с таймингами в районе «десяток».

«Ровные» сочетания таймингов для микросхем Samsung так же, как и для Hynix, неоптимальны, что видно по слабой реакции на увеличение напряжения выше штатного при использовании комбинации 9-9-9. Но у Samsung, в отличие от Hynix, увеличение tRCD больше чем на единицу относительно tCL не приводит к положительному эффекту. Оптимальной формулой можно считать X-(X+1)-(X+1). При использовании таймингов выше, чем 10-11-11, частота памяти Samsung растет очень слабо, что видно на графике по результатам в режиме 11-13-12. У Samsung (как C0, так и D0), аналогично Hynix, нет необходимости в повышении Command Rate с 1T до 2T.

Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-BCK0)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x328  10 KB. Big one: 522x1602  38 KB

График с результатами разгона:

450x377  11 KB

Если в разгоне памяти Hynix до частот в районе 2500 МГц нет ничего необычного, то получение результатов такого же уровня с микросхемами SEC K4B2G0846D-BCK0 стало приятным сюрпризом. Более того, если у Hynix для этого необходимо повышение напряжения до 1.75 В, то в случае с Samsung D0 его вообще не обязательно поднимать. Особенно стоит отметить результат в 2444 МГц с таймингами 10-11-11 и напряжением 1.50 B.

Память Samsung D0, в отличие от рассмотренной выше Samsung C0, очень слабо реагирует на поднятие напряжения. Увеличение его от 1.50 В до 1.65 В может дать еще 10-20 МГц по частоте, но не более. Однако это не мешает Samsung D0 достигать более высоких частот, нежели Samsung C0, даже с более низким напряжением. Формула оптимальных таймингов осталась прежней – X-(X+1)-(X+1).

Но не стоит забывать, что хотя эта память тоже относится к категории бюджетной, но она уже с номиналом в 1600 МГц и чуть более высокой ценой. Поэтому в процентном соотношении от номинала разгон у Hynix все же больше, так же, как и соотношение цены на мегагерц.

Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0)

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

522x328  10 KB. Big one: 522x1602  38 KB

График с результатами разгона:

450x377  10 KB

Результаты разгона памяти с микросхемами SEC K4B2G0846D-HCK0 показывают, что не вся память Samsung D0 одинаково полезна. Тут можно видеть явно выраженный частотный «потолок» в районе 2300 МГц, который не зависит от таймингов и почти не зависящий от напряжения. Зато это единственная среди протестированных модулей память, которая смогла работать на частоте выше 2 гигагерц с «девятками» и пониженным до 1.35 В напряжением.

Данный режим может быть интересен для обладателей платформ с невысокими возможностями для разгона памяти по частоте (например, таких как Socket AM3 с процессорами Phenom II / Athlon II или Socket 1366 c процессорами на ядре Bloomfield). А для систем на основе Sandy Bridge интересен другой вариант – до 2239 МГц с таймингами 9-10-10 и напряжением 1.50 В. В любом случае даже этот, не самый удачный вариант памяти Samsung D0, оказался лучше, чем Samsung C0.

Заключение

Нет необходимости описывать недостатки и преимущества раздельно для каждого типа протестированной памяти. В случае бюджетных модулей они совпадают не только для микросхем Hynix, но и для всех разновидностей Samsung.

[+] Крайне низкая цена и лучшее соотношение цены к объему.
[+] Отличный разгон. Вы можете рассчитывать на частоты в интервале от 2200 до 2500 МГц, чего хватит для всех современных платформ. Даже если вам не удастся найти в продаже оригинальные модули самих Hynix или Samsung, можете смело брать любую другую память, если на ней установлены точно такие же микросхемы Hynix или Samsung. На данный момент их используют многие производители модулей памяти, не занимающиеся выпуском собственных микросхем, и часть из них маркировку не меняет.
[+] Данная память не требует высокого напряжения для полного раскрытия своего потенциала. Нет необходимости использовать радиаторы или дополнительный обдув. Достаточно слабого потока воздуха от кулера на процессоре.

[-] Высокие тайминги. Для хорошего разгона по частоте (от 2100-2200 МГц и выше) необходимы как минимум «десятки». Это особенность всех без исключения модулей объемом 4 Гбайта. Даже у очень дорогих комплектов памяти, состоящих из модулей по 4 Гбайта и рассчитанных на частоту 2400 МГц, тайминги уже повышены как минимум до уровня 9-11-11. На данный момент единственный вариант получить частоты выше двух гигагерц с таймингами 7 или 8 – это использование памяти с плотностью микросхем в один гигабит (2 Гбайта на модуль), причем далеко не всякой, а только некоторых разновидностей Elpida или PSC.
[-] Отсутствие какой-либо упаковки, кроме антистатического пакетика, повышает шансы получить в магазине модули с повреждениями и вынуждает быть внимательным при покупке этой памяти.

Данную память можно рекомендовать для всех. Особенно в то время пока она стоит очень небольших денег. Даже если прямо сейчас вам не нужен большой объем, есть смысл взять с запасом два модуля по четыре гигабайта, на случай возможного подорожания памяти в будущем.

Единственное «применение», для которого любые планки памяти объемом 4 Гбайта совершенно не подходят – это получение рекордных результатов в 2D-бенчмарках, таких как Super Pi. Но те, кто может рассчитывать на такие результаты в бенчмарках, и сами прекрасно это знают. Но, с другой стороны, в плане достижения рекордно высоких частот (выше 3 ГГц) конкурентов у микросхем Hynix сейчас просто нет.

Вопрос изучения производительности памяти с разными сочетаниями частоты и таймингов остался за рамками данного исследования. Но вкратце могу сказать, что на Sandy Bridge некоторая польза от разгона памяти по частоте все-таки есть. А производительность процессоров AMD на ядре Zambezi не спасёт никакой разгон памяти, даже до 3 ГГц.

S_A_V
Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • GTX 1080 в XPERT.RU резко дешевле чем везде
  • Распродажа в Ситилинке: скидки до 40%!




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)