Разгон бюджетных модулей памяти Hynix и Samsung объемом 4 Гбайта (страница 2)
реклама
Внешне это все та же зеленая планка с шестнадцатью двухгигабитными микросхемами:
Маркировка модуля M387B5273DH0-CK0, объём 4096 Мбайт, частота 1600 МГц, производство – 50 неделя 2011 года.
Микросхемы SEC K4B2G0846D-BCK0 выпущены на 49 неделе 2011 года. Номинальная частота составляет 1600 МГц с таймингами 11-11-11 и напряжением 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 1734 Кбайт ).
реклама
Микросхема SPD:
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-bck0.spd.
Данная разновидность памяти Samsung использует PCB ST-104B с таким же дизайном, как и у рассмотренного выше модуля Samsung M378B5273CH0-CH9.
Samsung Original M378B5273DH0-CK0 (SEC K4B2G0846D-HCK0)
Данный экземпляр полностью совпадает по part number и номинальным характеристикам с предыдущим, но все же не является его копией. Самое заметное его отличие – цвет печатной платы:
реклама
Информация на наклейке совпадает с предыдущим модулем вплоть до недели выпуска:
Но главное отличие, из-за которого и было решено протестировать этот тип памяти на разгон отдельно от других – микросхемы памяти с маркировкой SEC K4B2G0846D-HCK0:
Микросхема SPD:
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846d-hck0.spd.
Модуль использует PCB с маркировкой H2-9 94V-0:
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
- Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
- Оперативная память:
- Hynix Original HMT351U6CFR-H9, DDR3-1333 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C), 1.50 В, 2x4096 Мбайт;
- Samsung Original M378B5273CH0-CH9, DDR3-1333 (SEC K4B2G0846C-HCH9), 1.50 В, 2x4096 Мбайт;
- Samsung Original M378B5273DH0-CK0, DDR3-1600 (SEC K4B2G0846D-BCK0), 1.50 В, 2x4096 Мбайт;
- Samsung Original M378B5273DH0-CK0, DDR3-1600 (SEC K4B2G0846D-HCK0), 1.50 В, 2x4096 Мбайт;
- Видеокарта: Sapphire Radeon HD 6950, 2048 Мбайт GDDR5, PCI-E;
- Накопители:
- SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
- HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
- Блок питания: Enermax Revolution 85+ ERV1050EWT, 1050 Вт;
- Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
- Термопаста: Arctic Cooling MX-2.
Программное обеспечение:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по декабрь 2011 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.940.0) Preview Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.3.2.0 build 0822;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Методика тестирования
Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой процессор на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.
Возможно, вам покажется, что для разгона недорогой DDR3 такая платформа избыточна. Но когда вы увидите результаты, то поймете, что в случае с памятью Hynix и Samsung это не так. Особенно это касается микросхем Hynix, так как именно они лежат в основе той памяти, на которой сейчас и устанавливаются рекорды разгона по частоте.
реклама
Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе – это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.
При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.
Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, уже оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:
Единственный тайминг, который был проверен отдельно – Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.
Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5 общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось «на лету» при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.
Все модули проверялись со следующим набором напряжений:
- номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
- номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
- номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).
Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.
Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.
Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, так как ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +20°C.
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила