Тест двухканального комплекта памяти G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK объемом 2x1Гб
реклама
Память поставляется в небольшой картонной коробочке с изображением на лицевой стороне болида F1 команды Рено прошлогодней раскраски:
Помимо заявления о "лучшей памяти в мире" на двух языках и логотипа компании, больше там ничего нет. На оборотной стороне, напротив, вполне есть с чем ознакомиться перед вскрытием коробки:
Особо отмечу информацию на отдельном стикере о пожизненной гарантии на память и наклейки с указанием стандарта, её объема, а также основных таймингов работы с напряжением.
Коробка раскладывается, и сквозь небольшое окошко можно увидеть оба модуля памяти G.Skill:
реклама
На дне упаковки мне удалось обнаружить пару наклеек с логотипом компании и небольшой информационный листок с указанием реквизитов производителя и сервисных центров поддержки:
Память жестко зафиксирована в прозрачном пластиковом корсете, тем самым вероятность её повреждения сведена к минимуму. Модули закрыты алюминиевыми теплораспределителями, покрытыми серебристой краской с наклеенным логотипом компании в самом центре:
Теплораспределители приклеены к чипам термопрокладками, а фиксирующие их сверху зажимы свободно болтаются, держась только лишь на точечных фиксаторах. Память выполнена на PCB шестислойного дизайна для снижения наводок и обеспечения стабильной работы при высоких частотах и низкой латентности.
На каждом из модулей наклеен небольшой гарантийный стикер:
реклама
По информации на нём, можно ещё раз убедиться, что G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK способна функционировать на частоте в 800 МГц с таймингами 4-4-3-5 при напряжении в 2.0-2.1 В. Это же подтверждается и данными, прошитыми в SPD модулей:
Основной блок SPD достаточно тривиален для памяти DDR2 стандарта PC-6400, а вот в разделе "Enhanced Perfomance Profile" для эффективной частоты в 800 МГц заявлены тайминги 4-4-2-5, что не соответствует указанным таймингам на стикерах и в спецификации данной памяти. Скорее всего, это ошибка, так как в таком сочетании таймингов мне не удалось стартовать даже на номинальной частоте работы в 800 МГц.
Тестирование памяти от G.Skill было проведено в закрытом корпусе системного блока следующей конфигурации:
- Материнская плата: ASUSTek P5B Deluxe/WiFi-AP (Intel P965), LGA 775, BIOS 1004;
- Процессор: Intel Core 2 Duo E6400 2133 МГц, FSB 266 МГц x 4, L2 2 x 1024 Кб, SL9S9 Malay, (Conroe, B2); Система охлаждения CPU: Cooler Master GeminII (2 x 120 мм., ~1200 об/мин);
- Видеокарта: Sysconn GeForce 7600 GT 256 Мб / 128 bit, @670/1584 МГц (дельта -90 МГц);
- Дисковая подсистема: SATA-II 320 Gb, Hitachi (HDT725032VLA360), 7200 об/мин, 16 Mb, NCQ;
- Корпус: ATX ASUS ASCOT 6AR2-B Black&Silver (на вдув, выдув и на боковой стенке корпуса установлены 120-мм корпусные вентиляторы Cooler Master, ~1200 об/мин, ~21 дБА);
- Блок питания: MGE Magnum 500 (500 W) + 80-мм вентилятор GlacialTech SilentBlade (~1700 об/мин, 19 дБА).
Модули тестировались только попарно, установленные в первый и третий слоты платы. Тесты проводились в операционной системе Windows XP Professional Edition SP2. Для проверки стабильности функционирования памяти при разгоне последовательно применялись следующие программы: тест памяти из PCMark 2005; "Torture Test" из Prime95 версии 25.2 в режиме часового тестирования; 4 теста памяти из S&M версии 1.9.0а в режиме "норма".
Оверклокерский потенциал памяти от G.Skill изучался при двух сочетаниях основных таймингов: 4-4-4-10 и 5-5-5-15. Прочие стартовые задержки, с которых начиналось тестирование, были выставлены вручную в BIOS материнской платы в такие значения:
- DRAM Write Recovery Time = 6
- DRAM TRFC = 42
- DRAM TRRD = 15
- Rank Write to Read Delay = 25
- Read to Precharge Delay = 15
- Write to Precharge Delay = 25
Присутствующий в настройках BIOS параметр "Static Read Control" был зафиксирован в положении "Disable". Память тестировалась как при номинальном напряжении в 2.1 В, так и при его увеличении в диапазоне до 2.4 В.
Результаты тестирования памяти G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK представлены на следующей диаграмме:
С номинальной частоты в 800 МГц на таймингах в 4-4-4-10 память удалось разогнать до 918 МГц. Прямо сказать – результат не выдающийся, но обращаю ваше внимание, что для этого не потребовалось повышать номинальное напряжение в 2.1 В. При увеличении последнего до 2.4 В без изменения таймингов память стабильно функционировала на 1015 МГц, а вот это уже отличный результат! Отмечу, что основной прирост частоты (примерно в 80 МГц) идёт при увеличении напряжения до 2.25-2.3 В, а дальнейшее повышение вольтажа на чипах позволяет повысить частоту ещё только на ~20 МГц. Таким образом, нельзя сказать, что G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK любит высокие напряжения.
При тестировании с таймингами 5-5-5-15 новинка не продемонстрировала чего-либо выдающегося, так как пришлось остановиться на частоте в 1014 МГц при 2.1 В и лишь 1033 МГц при 2.4 В. Очевидно, что G.Skill выпустила данную память, ориентируясь, в первую очередь, не на достижение самых высоких частот при разгоне, а на сохранение низкой латентности памяти. В общем, для любителей очень высоких частот рассматриваемая G.Skill F2 не подходит, увы.
Тест памяти из информационно-диагностической утилиты Everest после оверклокинга с таймингами 4-4-4-10 продемонстрировал следующие результаты:
реклама
При этом бенчмарк из архиватора WinRAR 3.70b4, известный как наиболее зависимый от таймингов работы оперативной памяти, выдал результат в 1260 Кб/сек.
Далее я занялся снижением задержек памяти на достигнутой частоте. К сожалению, ни один из основных таймингов без потери в стабильности понизить не удалось, зато прочие были снижены до следующих значений:
После чего снова проверка пропускной способности и латентности в Everest:
Изменения здесь можно наблюдать только в операциях копирования и совсем немного в латентности. А вот бенчмарк в WinRAR прореагировал куда заметнее, увеличив результат до 1480 Кб/сек.
Ну что же, в целом неплохую новинку выпустила компания G.Skill, так как далеко не каждая память потянет стабильную работу на эффективной частоте выше 1000 МГц с таймингами 4-4-4-10 при напряжении в 2.25 В. Жаль, конечно, что память не является универсальной с точки зрения оверклокинга и не способна функционировать на высоких частотах (~1200 МГц) с увеличенными таймингами. Однако, для потенциальных покупателей подобных комплектов оперативной памяти (стоимостью около 300 долларов США) высокая частота не столь критична, так как вряд ли в их системных блоках установлены младшие модели процессоров. Впрочем, дальше гадать не буду, а напоследок лучше дополню представление об оверклокерском потенциале G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK статистикой разгона с зарубежных сайтов:
Наименование ресурса | Материнская плата | Тайминги, частоты (МГц), напряжения |
|
---|---|---|---|
4-4-4(3) | 5-5-5 | ||
VR-Zone | ASUS P5B Deluxe | 920 / 2.1 В 1020 / 2.3 В |
1102 / 2.3 В |
Norway Hardware | ASUS P5N32-SLI Deluxe | 950 / 2.2 В | 1066 / 2.3 В |
Denmark Tweakup | DFI LanParty UT NF590 SLI-M2R/G |
956 / 2.3 В | 1080 / 2.3 В |
France Nokytech | ASUS P5B Deluxe | 1030 / 2.3 В | 1032 / 2.25 В |
Tweak PC | EVGA 680i | 1010 / 2.1 В | 1100 / 2.1 В |
Ещё одним комплектом хорошей памяти на рынке стало больше. Ну а выбор как всегда за вами.
Дискуссии по теме статьи в конференции Overclockers.ru:
Статистика разгона памяти DDR2.
Что вы думаете о памяти G.Skill?
реклама
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила