Infineon DDR400 512Mb – скромный середнячок с одной особенностью
реклама
Недавний материал о двух 512Mb модулях памяти Apacer, не порадовал поклонников бюджетного оверклокинга, то есть это "когда дешево и отлично гонится" :). Сегодня Вам предлагается небольшой обзор-тестирование памяти бренда покрупнее того же Apacer – Infineon.
Мы познакомимся с двумя PC3200 модулями наиболее актуального на сегодня, на мой взгляд, объема в 512Mb, изучим их маркировку и, безусловно, проверим оверклокерский потенциал.
Infineon DDR400 512Mb – память с двусторонним расположением чипов на подложке и без радиаторов:
Наклейка несет на себе информацию о маркировке памяти, ее объеме, конфигурации чипов, а также о том, что память собрана в США:
реклама
Маркировка чипов – HYB25D256800CE-5 – легко читаема:
На официальном сайте Infineon присутствует полный datasheet памяти данного типа. Дата выпуска чипов памяти – 0432 (32-ая неделя 2004 года), в SPD же самого модуля прошита информация о выпуске его на 50-й неделе 2004 года:
Тесты проводились на следующей конфигурации:
- Материнская плата: ABIT AS8-V Socket775 (i865PE) BIOS v.1.6;
- Процессор: Intel Pentium 4 530 3.0GHz, 1Мб, 800МГц LGA775;
- Кулер: Glacial Tech Igloo 5100PWM (3600RPM, Al+Cu);
- Видеокарта: ATI Radeon 9800SE 128Mb @9800Pro 420/720MHz;
- Жесткий диск: 164.7Gb SATA150 Hitachi 7200rpm 8Mb;
- Привод: DVD±R/RW & CD-RW NEC ND-2510A firmware v.1.17;
- Корпус: INWIN-S508 + блок питания 420W (Thermaltake-W0009) + два корпусных 80-мм кулера Zalman (~1400 rpm, 7v.).
- Операционная система: Windows XP Home + SP2.
Методика тестирования была следующей: сначала запускался бенчмарк из Prime95, затем расчет 32Mb в Super PI, а уже потом тестирование памяти с помощью S&M в течение ~40 минут.
Память была протестирована как на дефолтовом напряжении, равном 2.6v., так и при увеличении его до 2.8v. А вот при напряжении 3.0v. материнская плата с установленной памятью Infineon отказалась запускаться, капитулируя дотошным писком :(. Учитывая то, что при снижении напряжения до 2.8v. память спокойно продолжила работать, предположу, что срабатывала какая-то внутренняя защита, тем более что и Patriot, и Hynix, и Samsung, и даже Apacer поднятие напряжения до 3.0v. на данной материнской плате переносили спокойно. Вот такая вот интересная особенность...
реклама
Тесты были проведены в обоих режимах работы памяти: одноканальном и двухканальном. Шаг изменения частоты, как и прежде, равнялся 1MHz. При сбое, либо зависании частота снижалась и тесты проводились вновь. После нахождения максимума частоты постепенно уменьшались тайминги. И так цикл за циклом.
Тестирование началось с определения максимума частоты при максимальных таймингах и максимально возможном напряжении для данной памяти (2.8v.):
Несмотря на то, что 245(490)MHz далеко не рекордный результат, провальным его также назвать нельзя. Средне. Причем, обратите внимание, что тайминги - 3-3-3-8 а не 3-4-4-8! Увеличение их до максимальных не приводило к увеличению частотного потенциала памяти, поэтому на скриншоте приведена именно такая конфигурация при максимуме частоты работы памяти.
Снижение CAS Latency с 3 до 2.5, а также Cycle Time (Tras) с 8 до 7 понизило частоту работы памяти на 9MHz:
Очередное уменьшение таймингов "снимает" уже 24MHz:
Ну а на минимально возможных таймингах при напряжении 2.8v. память смогла работать только на 180(360)MHz:
Большинство из Вас уже обратили внимание, что на всех скриншотах CPU-Z параметр "Perfomance Mode" отключен (disabled). Дело в том, что мне ни при каких условиях работы памяти не удалось активировать самый "легкий" аналог PAT на ABIT AS8-V – режим "Turbo". Логично, что про более агрессивные "Street Racer" и "F1" настройки вообще упоминать не стоит.
Закончив тесты памяти на повышенном напряжении, я приступил к изучению ее возможностей при дефолтовом напряжении работы, по умолчанию равном 2.6v. Кратко скажу, что оверклокерский потенциал памяти снизился, но не значительно, и чтобы вновь не проводить Вас вновь по всему циклу тестов, представлю все результаты на одной сводной диаграмме:
Да, в отличие от оперативной памяти Apacer, Infineon достигает более высоких частот при низких таймингах и его разгон в незначительной степени, но все же зависит от поднятия напряжения (до 2.8v.). Однозначно могу утверждать, что эта память лучше, чем протестированная несколькими днями ранее Apacer. И если уж до конца проводить параллели со всеми проверенными мною ранее бюджетными модулями, то 512Mb DDR400 память Infineon занимают почетное третье место (после Hynix и пары Kingston-ов). В общем, если сказать кратко, то средне.
Ждем Ваших комментариев в специально созданной ветке конференции.
Сергей Лепилов aka Jordan
реклама
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Сейчас обсуждают