Powercolor Radeon RX Vega 64
8Gb, HBM2
Цена 49'990 руб.
MSI Radeon RX Vega 64
8Gb, HBM2
Цена 49'990 руб.
Sapphire RX VEGA 64
8Gb, HBM2
Цена 49'990 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 27017) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Хит продаж Ситилинка - GTX 1060 Gigabyte дешевле Palit
  • Суперигровой ПК-рюкзак - новое слово в дизайне аксессуаров
  • GTX 1070 - цена перешагнула психологический рубеж
  • Много GTX 1060 дешевле 15 т.р.

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

7 нм в 2018 году: Xilinx, ARM, Cadence, TSMC и Samsung сообщили о планах

GreenCo 12.09.2017 08:58 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Следующий год обещает стать годом начала производства полупроводников с нормами 7 нм. Первыми 7-нм кремний начнут выпускать компании TSMC и Samsung. Первая для этого будет использовать традиционную иммерсионную литографию со 197-нм сканером, в вторая первой в индустрии начнёт применять сканеры с длиной волны 13,5 нм в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Вчера TSMC и Samsung официально подтвердили свои планы. Правда, сделали это по разным поводам. Начнём с пресс-релиза компании TSMC.

Тайваньский чипмейкер вместе с компаниями Xilinx, ARM и Cadence сообщил, что в первом квартале 2018 года будет готов цифровой проект опытного чипа, который впервые в индустрии реализует новейший интерфейс CCIX (Cache Coherent Interconnect for Accelerators). Тестовый чип будет разработан для выпуска с использованием FinFET транзисторов в 7-нм техпроцессе. В кремнии решение выйдет во второй половине 2018 года.

Интерфейс CCIX, напомним, разрабатывается как открытый стандарт для максимально эффективного подключения к процессорам на платформах ARM, x86 и IBM Power разного рода ускорителей. На данном этапе индустрия пришла к тому, что эффективность вычислений — снижение задержек и уменьшение потребления энергии — невозможны без специализированных ускорителях, пусть даже они будут на программируемых матрицах (FPGA). Это вычисления, связанные с машинным обучением, анализом Больших Данных, обработкой сетевых транзакций, обслуживанием сетей 4G/5G и поиском.

Традиционные интерфейсы, включая шину PCI Express, не могут служить универсальным средством для подключения ускорителей либо делают это неэффективно с серьёзными требованиями к программному обеспечению. Интерфейс и протокол CCIX обещают согласованный доступ к данным в составе платформы всем участникам процесса, включая работу в одной платформе процессоров с разной архитектурой. Тестовый чип, который представили компании Xilinx, ARM, Cadence, TSMC, как раз является тем мостиком, который соединит решения разных производителей. В данном случае речь идёт о согласованной работе с общим пулом памяти HBM и DDR4 многоядерного процессора ARM с поддержкой технологии DynamIQ и внешнего ускорителя на 16-нм матрице Xilinx Virtex UltraScale+. Мост CCIX, как уже сказано выше, будет 7-нм.

Компания Samsung в своём пресс-релизе не сообщала о каких-то конкретных решениях, которые она готовится выпускать с использованием 7-нм техпроцесса. Зато она вновь подтвердила, что для выпуска 7-нм полупроводников будет использовать EUV-сканеры. Старт производства с использованием техпроцесса 7LPP (Low Power Plus) намечен на вторую половину 2018 года. С 2014 года компания выпустила порядка 200 тыс. пластин с чипами с использованием EUV-сканеров, что дало ей колоссальный опыт по использованию проекции в новом диапазоне. В Samsung заявляют, что уровень брака в производстве 256-Мбит массивов памяти SRAM снизился до 20 %, и будет уменьшаться дальше.

Также в Samsung рассказали, что разработали техпроцесс 11LPP как более дешёвую альтернативу 10-нм техпроцессу. И если 10-нм техпроцесс нацелен на выпуск SoC для смартфонов премиального уровня, то техпроцесс 11LPP позволит выпускать процессоры для смартфонов среднего класса. Если сравнивать техпроцессы 11LPP и 14LPP, то новый техпроцесс обещает снизить площадь кристалла SoC на 10 % и на 15 % увеличить производительность при прежнем уровне потребления энергии. Техпроцесс 11LPP будет доступен для производства в первой половине 2018 года. Тем самым в Samsung подтвердили планы в течение следующих трёх лет одновременно поддерживать активными техпроцессы 11 нм, 10 нм, 8 нм и 7 нм.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Sapphire Vega 64 по СУПЕРцене, дешевле любых других
  • МЕГАдешевый Threadripper уже в продаже
  • GTX 1070 MSI Gaming X по сниженой цене в Ситилинке
  • Много GTX 1070 дешевле 30 т.р.




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)