В своё время компания SanDisk разработала такую схемотехнику памяти типа NAND, которая значительно снизила вероятность появления ошибок записи и чтения (речь о технологии All Bit Line или ABL). До разработки ABL память NAND оставалась "кошмаром" для производителей, уверяют знакомые с ситуацией ветераны отрасли. В частности, об этом в интервью сайту EE Times рассказал Том Спаркмэн (Tom Sparkman), проработавший свыше 35 лет в компаниях Motorola, Maxim, Samplify Systems, IDT и Spansion. С июля этого года Том назначен директором молодой компании Spin Transfer Technologies (STT) — не путать с STT MRAM (spin-transfer torque MRAM). Его компания разрабатывает оригинальную "ортогональную" MRAM и, что более интересно, обещает создать для MRAM встроенные механизмы коррекции ошибок уровня ABL.

Шеф STT отказался раскрыть детали разработки, сославшись на то, что они готовят документацию для получения патента. В то же время он выразил уверенность, что память MRAM появится на рынке скорее раньше, чем позже. Образцы MRAM компании Spin Transfer Technologies поставляются многим известным производителям, включая Samsung. Последняя, кстати, как и компании GlobalFoundries и TSMC, уже объявили о планах начать массовое производство решений со встроенным массивом памяти MRAM в 2018 и 2019 годах. Потенциально MRAM ближе к тому, чтобы заменить DRAM и NAND-память, но она также способна заменить SRAM в составе процессоров, обещая появление быстрой и энергонезависимой кэш-памяти.

Надо сказать, что образцы памяти MRAM компании STT имеют самый тонкий на сегодня в индустрии туннельный переход среди аналогов. Ширина перехода примерно равна 20 нм. Память MRAM выпускается достаточно давно многими компаниями, но до сих пор она страдает от проблем с масштабированием — очень уж у неё большая по площади ячейка. Маленькая ячейка вкупе со встроенными механизмами коррекции ошибок могут стать тем решением, которое позволит перевернуть индустрию производства энергонезависимой памяти.