MSI Radeon RX Vega 64
8Gb, HBM2
Цена 49'990 руб.
LED ТВ 48'' TCL
FULL HD
Цена 32'990 руб.
Intel Core i7 7700K BOX
Kaby Lake 4.2GHz/HDG530
Цена 24'910 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 27017) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Хит продаж Ситилинка - GTX 1060 Gigabyte дешевле Palit
  • Суперигровой ПК-рюкзак - новое слово в дизайне аксессуаров
  • GTX 1070 - цена перешагнула психологический рубеж
  • Много GTX 1060 дешевле 15 т.р.

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Разрабатывается встроенный механизм коррекции ошибок для памяти MRAM

GreenCo 09.09.2017 08:37 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

В своё время компания SanDisk разработала такую схемотехнику памяти типа NAND, которая значительно снизила вероятность появления ошибок записи и чтения (речь о технологии All Bit Line или ABL). До разработки ABL память NAND оставалась "кошмаром" для производителей, уверяют знакомые с ситуацией ветераны отрасли. В частности, об этом в интервью сайту EE Times рассказал Том Спаркмэн (Tom Sparkman), проработавший свыше 35 лет в компаниях Motorola, Maxim, Samplify Systems, IDT и Spansion. С июля этого года Том назначен директором молодой компании Spin Transfer Technologies (STT) — не путать с STT MRAM (spin-transfer torque MRAM). Его компания разрабатывает оригинальную "ортогональную" MRAM и, что более интересно, обещает создать для MRAM встроенные механизмы коррекции ошибок уровня ABL.

Шеф STT отказался раскрыть детали разработки, сославшись на то, что они готовят документацию для получения патента. В то же время он выразил уверенность, что память MRAM появится на рынке скорее раньше, чем позже. Образцы MRAM компании Spin Transfer Technologies поставляются многим известным производителям, включая Samsung. Последняя, кстати, как и компании GlobalFoundries и TSMC, уже объявили о планах начать массовое производство решений со встроенным массивом памяти MRAM в 2018 и 2019 годах. Потенциально MRAM ближе к тому, чтобы заменить DRAM и NAND-память, но она также способна заменить SRAM в составе процессоров, обещая появление быстрой и энергонезависимой кэш-памяти.

Надо сказать, что образцы памяти MRAM компании STT имеют самый тонкий на сегодня в индустрии туннельный переход среди аналогов. Ширина перехода примерно равна 20 нм. Память MRAM выпускается достаточно давно многими компаниями, но до сих пор она страдает от проблем с масштабированием — очень уж у неё большая по площади ячейка. Маленькая ячейка вкупе со встроенными механизмами коррекции ошибок могут стать тем решением, которое позволит перевернуть индустрию производства энергонезависимой памяти.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Sapphire Vega 64 по СУПЕРцене, дешевле любых других
  • МЕГАдешевый Threadripper уже в продаже
  • GTX 1070 MSI Gaming X по сниженой цене в Ситилинке
  • Много GTX 1070 дешевле 30 т.р.




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)