Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Но прибыль уже видна.

реклама

В своё время представитель Samsung как-то заметил, что компания почти год выпускала память 3D NAND себе в убыток. В это нетрудно поверить, поскольку это определённо новый тип электронного прибора, требующего для производства иного оборудования и изменённых техпроцессов, что всегда обходится дорого. Компания Western Digital, как признался в интервью EE Times её исполнительный вице-президент по технологиям памяти — Шива Шиварам (Siva Sivaram), выгоду от выпуска 3D NAND по сравнению с производством планарной флеш-памяти начинает видеть только сейчас. Этой памятью для компании стали 512-Гбит 64-слойные микросхемы 3D NAND TLC.

Представитель компании подчёркивает, что именно память с записью трёх бит в ячейку стала более дешёвой альтернативой планарной 15-нм NAND. При этом в компании учитывают начальные затраты на новое оборудование и на расширение мощностей. Иными словами, весь комплекс мероприятий по выводу на рынок многослойной памяти стал окупать себя после начала выпуска 64-слойной 3D NAND TLC.

реклама

В компании подтверждают, что 32-слойная память так и не вышла за пределы лабораторий, а 48-слойная появилась в очень ограниченном числе продуктов. Зато 64-слойные микросхемы найдут путь в более чем 50 продуктов Western Digital. До конца текущего календарного года компания рассчитывает свыше 75% флэш-памяти выпускать в виде чипов 3D NAND. Например, неполный месяц назад Western Digital анонсировала на 64-слойной памяти 3D NAND потребительские накопители WD Blue 3D и SSD для энтузиастов SanDisk Ultra 3D. С корпоративными SSD на 64-слойной памяти всё сложнее, признаются в компании, но со временем они также появятся.

По мнению аналитиков, 3D NAND станет по-настоящему выгодной для производства памятью где-то к середине 2018 года. Это следует расценивать как с точки зрения себестоимости производства, так и с позиций снижения уровня брака. Дальнейшее увеличение числа слоёв представляется относительно трудным мероприятием, поскольку травление отверстий на такую глубину становится технологически трудным моментом. В качестве альтернативы, например, видится стековая компоновка многослойных микросхем или переход на альтернативную энергонезависимую память. К примеру — ReRAM. Будущее покажет.

Показать комментарии (2)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают