Intel Core i7 7700K BOX
Kaby Lake 4.2GHz/HDG530
Цена 23'820 руб.
Samsung Galaxy A7 (2017)
золотистый
Цена 27'990 руб.
Gigabyte GeForce GTX 1060
GV-N1060IXOC-3GD
Цена 17'290 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+3 за неделю, всего: 27008) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • !!! GTX 1060 Gigabyte Windforce дешево, по цене Palit
  • Motorola демпингует: G5 на Android 7 с 5.0" FHD дешевле 10т.р.

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Samsung запустила серийное производство 64-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC

GreenCo 15.06.2017 18:33 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Компания Samsung Electronics сообщила о запуске серийного производства флэш-памяти 3D NAND четвёртого поколения. Это микросхемы ёмкостью 256 Гбит в виде 64-слойной памяти 3D NAND с записью трёх бит в каждую ячейку. Строго говоря, компания начала выпуск таких микросхем в конце 2016 года и уже в январе 2017 года начала рассылку образцов продукции с данным видом памяти. Поэтому новость о запуске серийного производства 64-слойной 3D NAND следует расценивать, как информацию о старте производства на новом заводе компании в Южной Корее, запуск которого состоялся в текущем месяце.

По данным Samsung, 64-слойные микросхемы на 30% экономичнее по потреблению, чем 48-слойные чипы 3D NAND. Это стало возможным после снижения напряжения питания с 3,3 В до 2,5 В. Также новая память на 20% надёжнее предыдущей. За это, можно ожидать, в ответе может быть увеличенный рабочий объём ячеек памяти. Производитель не стал увеличивать ёмкость 64-слойных микросхем при переходе с 48 слоёв на 64 слоя. Излишки объёма вполне могли быть отданы для увеличения объёма ячеек, надёжность которых тем ниже, чем меньше физического места для хранения заряда. Но это наши домыслы, официального подтверждения этому нет.

Компания Toshiba, например, через несколько месяцев собирается начать массовый выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит. Компания Samsung, очевидно, тоже могла сделать нечто подобное, но не стала. Кстати, во второй половине года компания SK Hynix начнёт массовый выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC, так что оба конкурента по технологичности производства многослойной NAND-флэш окажутся чуть впереди Samsung.

Другим достоинством 64-слойной 3D NAND TLC Samsung заявлено самое быстрое в индустрии время записи страницы (tPROG), равное 500 мкс. Этот параметр в 4 раза лучше, чем для планарной NAND 10-нм класса и в 1,5 раза лучше, чем для 48-слойной 3D NAND. На базе 64-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC компания Samsung будет выпускать SSD всех уровней производительности как для потребительского рынка, так и для серверного.

Позже компания начнёт использовать 64-слойные микросхемы для производства карточек памяти и встраиваемых накопителей. Объёмы выпуска 64-слойной памяти будут наращиваться так быстро, чтобы уже во второй половине года их поставки превысили долю в 50% в объёме всей флэш-продукции компании. И это радует, а то как-то часто стали говорить о дефиците NAND-флэш и о росте оптовых цен.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Регард: Доставка теперь по всей России
  • Asus Zenfone Selfie - вдвое дешевле первоначальной цены




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)