Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Одиночный модуль на микросхемах Samsung.

реклама

Пришлось сделать короткую передышку в разборе плотного потока стенограмм с мероприятий, в которых приняли участие представители AMD, чтобы хоть как-то оправдывать название нашего сайта. Дело в том, что тайваньскому оверклокеру Toppc удалось при помощи платформы Intel X299 обновить рекорд разгона памяти. Режим DDR4-5500 покорился одиночному модулю памяти G.Skill TridentZ RGB объёмом 8 ГБ, который был установлен в материнскую плату MSI X299 Gaming Pro Carbon AC по соседству с центральным процессором Core i7-7740X семейства Kaby Lake-X.

реклама

И процессор, и модуль памяти охлаждались жидким азотом, для чего в последнем случае использовался специализированный контейнер.

Как подчёркивает G.Skill, которая занималась распространением этого информационного повода, модуль памяти использовал микросхемы DDR4 производства Samsung. В режиме DDR4-5500 тайминги составили 21-31-31-63-2. Весьма символично, что именно этот энтузиаст год назад покорил рубеж DDR4-5000. С тем, что в разгоне памяти замечен прогресс, сложно поспорить.

Показать комментарии (3)

Сейчас обсуждают