Ведущие производители полупроводниковых изделий по-разному смотрят на сроки внедрения литографии с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV). Кто-то готов внедрять эти методы уже в рамках 7-нм норм, кто-то предпочитает подождать до момента освоения 5-нм технологии. Как поясняет издание DigiTimes, один из двух генеральных директоров TSMC Марк Лю (Mark Liu) недавно подтвердил намерения компании внедрить EUV-литографию во втором поколении 7-нм техпроцесса. По внутреннему обозначению этот техпроцесс носит условное название "7nm Plus".

Первое поколение 7-нм изделий с использованием FinFET-структур начнёт сходить с конвейера TSMC в 2018 году. Во второй половине текущего года TSMC освоит массовый выпуск изделий по 10-нм технологии. Над её разработкой и внедрением трудился коллектив из 3000 специалистов. Уже сейчас ведётся разработка 5-нм технологии, опытные образцы изделий должны быть получены в первом квартале 2019 года. Замахивается TSMC и на 3-нм техпроцесс – над его освоением уже работают сотни специалистов.

Мобильные устройства продолжат оставаться главным потребителем передовых полупроводниковых изделий в ближайшие годы, как считает руководитель TSMC. Смартфоны будут обзаводиться функциями работы с виртуальной и дополненной реальностью, искусственным интеллектом и обучаемыми системами, а также "контекстными вычислениями". Автомобильная промышленность и "интернет вещей" тоже становятся важными сегментами рынка, демонстрирующими спрос на полупроводниковые изделия.