Группа учёных из Ирландского центра Science Foundation Ireland под эгидой исследовательской организации Advanced Materials and BioEngineering Research разработала интересную технологию печати транзисторов. Утверждается, что это первая в индустрии технология, которая позволяет напечатать планарный транзистор "стандартными" методами. Аналогичный процесс может быть применён для печати другой электроники, включая солнечные панели (фотоэлементы), светодиоды и другое. Очевидно, что подобный подход обещает сделать производство электроники существенно дешевле.

Данные о разработке опубликованы в апрельском номере журнала Science. Из того, что известно — транзистор распечатывается послойно с использованием графена в качестве стока, истока и электродов затвора. Канал такого транзистора состоит из металлического дихалькогенида в лице диселенида вольфрама, у которого высокая мобильность электронов), а изолирующий материал — это нитрид бора.

Затвор транзистора представляет собой электролитический вентиль с ионной жидкостью. Подобный затвор для транзисторов в 2013 году предложила компания IBM. Под воздействием электромагнитного поля ионы из жидкости перемещаются в оксидный слой под ней и он становится токопроводящим. Отмечается, что по сравнению с обычными тонкоплёночными транзисторами предложенное решение позволяет пропустить больший ток при меньшем рабочем напряжении.

Печать транзисторов позволит оборудовать информационными дисплеями и электроникой упаковку скоропортящихся продуктов, лекарств, банковских карт, самих денежных купюр, и много чего другого. Стоимость такой упаковки обещает оказаться по бросовой цене.