Техпроцесс производства чипов на пластинах из полностью обеднённого кремния на изоляторе (FD-SOI) позволяет не снижая масштаба технологических норм получить чипы с лучшими характеристиками: более быстрые и с меньшим потреблением. Внедрять использование пластин FD-SOI планируют компании Samsung и GlobalFoundries. Точнее, компания Samsung уже выпускает опытные решения на FD-SOI с использованием 28-нм технологических норм. Компания GlobalFoundries с использованием FD-SOI будет выпускать 22-нм решения (22FDX), но это произойдёт позже в 2018 году или в 2019 году (точные сроки в компании отказались назвать). Добавим, компания Samsung лицензировала использование техпроцесса с использованием пластин FD-SOI у компании STMicroelectronics.

Серьёзную ставку на FD-SOI сделала компания NXP. В текущем году она выпустит не менее пяти однокристальных схем i.MX на FD-SOI (четыре на ядрах 64 бит ARMv8 и оду 32 бит ARMv7). Выпуском решений будет заниматься Samsung. В течение следующих двух лет будет выпущен целый ряд SoC NXP на пластинах FD-SOI с возможностью каждый раз повышать производительность флагманов на 25%, что было бы невозможно в случае производства чипов на обычных монолитных кремниевых пластинах. В дальнейшем производством решений обещает заняться компания GlobalFoundries. Сейчас она не готова говорить о коммерческой 22-нм FD-SOI продукции, но уверяет, что рассчитывает даже в первое время не менее чем на 70 проектов. Ниже в таблице представлено сравнение характеристик 22-нм FD-SOI техпроцесса GlobalFoundries и близких к нему техпроцессов компаний TSMC (производитель A) и Intel (производитель B).

Переход на FD-SOI, к примеру, обещает ужать бюджет по питанию уровня 802.11n Wi-Fi в версии с одной антенной до уровня бюджета стандарта Zigbee. Последний, в частности, позволяет устройствам с беспроводным подключением годами работать от одной батарейки. Кроме этого использование FD-SOI даёт возможность выпускать с лучшими характеристиками цифро-аналоговые преобразователи и интегрировать радиокомпоненты на тот же кристалл, что и остальные цепи. Ещё один пример. Подготовленная NXP к производству однокристальная "FD-SOI"-схема для автомобильной бортовой системы способна одновременно обслуживать шесть экранов с разрешением 1080p и работает при этом без активного охлаждения. В таком режиме процессор на основе других актуальных техпроцессов попросту бы вышел из строя.

Основной проблемой для дальнейшего развития техпроцессов с использованием пластин FD-SOI стало то, что встроенную энергонезависимую память тоже необходимо масштабировать, а память NAND-типа, как нам известно, экономически невыгодно выпускать с нормами менее 15/16 нм. Для FD-SOI с нормами 12 нм (для GlobalFoundries) и 14 нм (для Samsung) необходима флэш-память иного типа. Это может быть резистивная память, магниторезистивная с использованием туннельных эффектов или какой-то иной тип памяти. Так вот, проблема в том, что новую память для встраиваемых решений надо подобрать в течение двух лет, иначе внедрение следующих по масштабу техпроцессов столкнётся с серьёзными трудностями.