Компания AMD, а потом и GlobalFoundries, как наследница её заводов, имеет большой опыт работы с пластинами SOI (кремний на изоляторе). Использование дополнительного слоя диэлектрика в составе кремниевой пластины улучшает качество электронных цепей на кристалле — меньше утечки, лучше характеристики транзисторов, включая частотные показатели.

Миниатюризация электроники наряду с расширением коммуникационных возможностей привели к тому, что в чипы стало необходимо "запихивать" радиочастотную часть — предусилители, усилители мощности, коммутаторы частот и даже передатчики. Технология SOI в данном случае пришлась весьма кстати, и появился термин RFSOI. Производство RFSOI открыло возможность сочетать на одной пластине обычную логику и радиочастотные цепи, значительно упростив жизнь разработчикам устройств с использованием радиоинтерфейсов, включая наши любимые смартфоны.

На днях о доступности техпроцесса RFSOI с нормами 45 нм сообщила компания GlobalFoundries. Производство налажено на бывшем 300-мм заводе компании IBM в Ист-Фишкилл (East Fishkill). Заводы IBM, напомним, переданы компании GlobalFoundries летом 2015 года. Производитель сообщает, что с помощью техпроцесса 45RFSOI будет выгодно выпускать решения для сотовых сетей 5G, которым требуется работа в миллиметровом диапазоне (24-100 ГГц). Техпроцесс 45RFSOI позволит обеспечить кремнием с заданными характеристиками как базовые станции, так и клиентские устройства. Также техпроцесс подходит для производства решений для низкоорбитального спутникового Интернета, для автомобильных радаров и для другого связного оборудования, которое работает в миллиметровом диапазоне.