Первого декабря компания Micron завершила первый квартал финансового 2017 года (не путать с календарными). За три месяца 2016 года — с сентября по ноябрь включительно — компания выручила $3,97 млрд и получила чистую прибыль в размере $180 млн. Годовой рост квартальной выручки составил 19%, а за квартал выручка увеличилась на 23%. Убытки в предшествующем квартале достигли $170 млн, хотя год назад в аналогичный квартал компания получила чистую прибыль в размере $206 млн. Текущий положительный со всех сторон результат показывает, что "жизнь удалась". Спрос на DRAM последовательно вырос на 18%, а поставки NAND-флэш выросли на 26%. При этом память в среднем за квартал подорожала на 5% (для розничных покупателей, как мы знаем, цены на память взлетели в два, а то и более раз).

Одним из успехов Micron в последние месяцы можно считать то, что компания с небольшим опережением графика запустила в производство второе поколение памяти 3D NAND. В этом она отставала от Samsung, но зато сейчас якобы обладает лучшим в отрасли производственным оборудованием для выпуска многослойной NAND-флэш и, в частности, 64-слойной памяти ТLC ёмкостью 768 Гбит. Занимается выпуском микросхем полностью переоборудованная фабрика Fab 10X в Сингапуре. Себестоимость производства в пересчёте на один бит по сравнению с 3D NAND первого поколения снижена на 30%. Но это не означает, что появятся более дешёвые микросхемы меньшей ёмкости. Вырастет ёмкость микросхем и накопителей и за ту же сумму, что сегодня, можно будет купить более ёмкий накопитель.

Интересно отметить, что компания Micron использует более сложную ячейку флэш-памяти, чем остальные, в частности — Samsung. Ячейка 3D NAND Samsung использует так называемую ловушку заряда или (CTF, charge trap). Ячейка 3D NAND Micron — это конструкция с плавающим затвором. Плавающие затворы чуть лучше удерживают заряд, но увеличивают площадь ячейки и уменьшают плотность записи. По слухам, во втором поколении 3D NAND компания Micron должна была перейти на использование ловушки заряда, но отчего-то не сделала этого.

По мнению руководства Micron, в 2017 году производство памяти не сможет догнать спрос, что будет вести к увеличению закупочных цен на DRAM и NAND. Так, в терминах ёмкости в 2017 году производство DRAM вырастет на 15-20%, тогда как индустрия будет требовать роста на 20-25%. Производство памяти NAND в пересчёте на биты в 2017 году вырастет на 30-40%, а закупщики будут требовать роста на 40-45%. Стоит ли говорить, что в рознице оба типа памяти продолжат дорожать?