В новом докладе тайваньского отраслевого издания DigiTimes говорится, что в настоящее время азиатские производители готовятся к росту спроса на модули DRAM-памяти. Росту поспособствует и увеличение объёма оперативной памяти следующего поколения iPhone.

По сведениям отраслевых источников, увеличение объёмов встроенной и оперативной памяти у смартфонов следующего поколения, в том числе у новых iPhone, будет способствовать дальнейшему росту спроса на чипы памяти в третьем квартале 2016 году. Объём ОЗУ iPhone 7 вырастет до 3 ГБ против 2 ГБ у iPhone 6s и iPhone 6s Plus, тогда как новые Android-смартфоны получат 6 ГБ оперативной памяти вместо 4 ГБ у предыдущих моделей.

Также источники сообщили, что цены на NAND-флеш-память растут и поддерживаются ростом спроса, особенно со стороны Apple, которая готовит к выходу следующее поколение iPhone. Ранее сообщалось, что минимальный объём встроенной памяти iPhone 7 и iPhone 7 Plus будет увеличен с 16 до 32 ГБ, а максимальный – со 128 до 256 ГБ. Определённую роль в подорожании чипов памяти сыграл и тот факт, что твердотельные накопители SSD всё чаще используются в новых моделях ноутбуков и ПК.

Как ожидается, iPhone 7 и его Plus-версия дебютируют в начале сентябре. Приём предварительных заказов на новые смартфоны начнётся 9 сентября, а в продажу в странах первой волны они поступят через неделю. Внешне новые смартфоны будут похожи на iPhone 6s и iPhone 6s Plus и унаследуют от них также размер и разрешение дисплеев.