Прошлая неделя принесла информацию о планах компании Samsung по совершенствованию техпроцессов для выпуска полупроводников. Компания Samsung редко делится планами, поэтому весомость этой информации трудно переоценить. Начнём с того, что Samsung предложит клиентам 14-нм техпроцесс со сниженной стоимостью производства — 14LPC FinFET. Для разработки чипов в рамках техпроцесса 14LPC будут использоваться те же самые инструменты проектирования, что и для 14-нм техпроцесса второго поколения — 14LPP (Low-Power Plus). При этом число технологических циклов для выпуска 14LPC микросхем снижено, но не в ущерб производительности решений. Иными словами, себестоимость чипов будет меньше, а частотный потенциал не пострадает.

Массовый выпуск чипов в рамках техпроцесса 14LPC стартует в текущем году. До конца года в данном техпроцессе появится возможность выпускать радиочастотные компоненты типа индуктивности, что откроет путь к интеграции радиомодулей в состав кристаллов SoC. Добавим, к сегодняшнему дню компания Samsung поставила на рынок свыше 500 тыс. полупроводниковых пластин с чипами. Это уже хорошо отлаженное производство с весьма низким уровнем брака — 0,2 дефекта на кв. см.

В дополнение к техпроцессу 10 нм LPE (Low-Power Early) компания сразу же готовит сменщика — техпроцесс 10 нм LPP (Low-Power Plus). Техпроцесс 10LPP обещает на 10% лучшую производительность, чем техпроцесс 10LPE. Уже появились слухи, что 10-нм техпроцесс Samsung "второго поколения", к которому относят 10LPP, будет внедрён в массовое производство ещё до окончания текущего года. Для перевода проектов с техпроцесса 10LPE на техпроцесс 10LPP никаких изменений в цифровых проектах (и масках) делать не придётся. Разработчикам это сэкономит год времени и позволит быстро получить продукты с лучшими характеристиками.

Также в компании сообщили, что ведётся разработка 7-нм техпроцесса 7LPE. Согласно сообщению на сайте AnandTech, компания Samsung для производства критически важных слоёв почти наверняка будет использовать перспективные EUV-сканеры с длиной волны 13,5 нм. Подобный сценарий рассматривается также в компании TSMC, хотя компания Intel по отношению использования EUV-сканеров настроена отрицательно. В компании Samsung аргументируют необходимость частично перехода на EUV-проекцию тем, что для выпуска 7-нм чипов с использованием 193-нм сканеров потребуется три фотошаблона (и три цикла обработки) на каждый слой, а это увеличит число фотомасок с 60 до 90 штук, что неоправданно дорого.

Совершенствование техпроцессов будет сопровождаться не только снижением масштаба проекции. Компания Samsung продолжит развивать 28-нм техпроцесс. В частности, в 28-нм техпроцесс производства чипов на полностью обеднённых пластинах FD-SOI будет добавлена возможность интегрировать флэш-память и радиочастотные компоненты. Также компания продолжит предлагать клиентам производство чипов на 200-мм пластинах с техпроцессами от 180 нм до 65 нм. Такие решения получат все современные расширения в виде интегрированной флэш-памяти, RF-элементов, датчиков и многое другое. По мнению Samsung, это поможет "утолить чиповый голод в регионах, нуждающихся в современных полупроводниках".