Palit GeForce GTX 1060
STORMX 3G
Цена 15'550 руб.
Palit GeForce GTX 1080
Super Jetstream
Цена 48'420 руб.
ASUS RX 480
STRIX GAMING
Цена 25'000 руб.

Сервера размещены в

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 26899) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • R9 FURY за копейки в Регарде, смотри!!!
  • GTX 1060 нереф дешевле 15 т.р.
  • Еще один нереф GTX 1060 дешевле 15 т.р.
  • Открыты вакансии веб-дизайнера и программиста

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Китайская SMIC берётся довести память RRAM до коммерческого запуска

GreenCo 15.03.2016 13:07 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Летом 2013 года когорта многочисленных разработчиков памяти RRAM (ReRAM) или резистивной RAM пополнилась молодой компанией Crossbar. В отличие от широко апробированных методов насыщения обеднённого слоя изолятора в ячейке RRAM атомами кислорода, метод Crossbar предполагает управляемое и обратимое создание в аморфном кремнии нитей из ионов серебра. Поскольку ячейка Crossbar фактически полупроводниковая, технология производства RRAM Crossbar относительно просто ложится на современные CMOS-техпроцессы. В 2016 году, кстати, компания Crossbar обещала приступить к стадии лицензирования технологии выпуска RRAM крупным производителям полупроводников.

Поразительно, но компания Crossbar сдержала своё слово. На днях один из крупнейших в мире контрактных производителей полупроводников — китайская компания Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) сообщил, что он заключил с компанией Crossbar партнёрское соглашение о коммерциализации производства резистивной памяти. На основе лицензионного соглашения компания SMIC берётся выпускать RRAM для всех желающих в виде встраиваемых в микропроцессоры и SoC блоков энергонезависимой памяти. К сожалению, на момент анонса компания SMIC не сообщила, есть ли у неё клиенты на адаптацию RRAM к каким-либо продуктам. Добавим, блоки RRAM будут встраиваться в SoC и процессоры в рамках 40-нм техпроцесса. В компании ожидают, что превосходные характеристики RRAM выгодно дополнят решения в виде SoC и процессоров для носимой электроники, вещей с подключением к Интернету, смартфонов, планшетов и разнообразной автоматики.

До сих пор опытные чипы памяти RRAM компании Crossbar выпускались с использованием 110-нм техпроцесса и в виде трёхслойной структуры ёмкостью до 4 Мбит. Тесты показывали, что массив памяти RRAM может быть в 20 раз быстрее NAND-флэш, в 20 раз экономичнее по потреблению и выдерживать в 10 раз больше циклов стирания/перезаписи. Память RRAM Crossbar может быть организована как в виде ячейки с одним транзистором и сопротивлением, так и в виде одного транзистора и n-резисторов (ячеек). В первом случае будет высочайшая скорость доступа, во втором — наивысшая плотность записи. Будет интересно узнать, каковы характеристики блоков RRAM Crossbar в 40-нм исполнении SMIC.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Крутой обвал цен на GTX 1080, самая низкая в XPERT.RU
  • GTX 980 Ti - цена рухнула!
  • RX 480 Gigabyte Gaming по шокцене в Регарде
  • GTX 1060 MSI за 15 т.р.




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)