Samsung Galaxy A7 (2017)
золотистый
Цена 32'990 руб.
Intel Core i5 7500
Kaby Lake 3.4GHz/HDG530
Цена 13'390 руб.
Palit GeForce GTX 1060
STORMX 3G
Цена 13'020 руб.

Сервера размещены в Прокат серверов

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 26960) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Скидки до 45% в Ситилинке по промокоду TANK
  • ASUS GTX 1050Ti OC - вводи промокод и смотри цену
  • Модульный флагман Motorola Moto Z - в официальной продаже

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Технология EUV требует доработки, ещё не начав работать

GreenCo 26.02.2016 09:51 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

По мнению специалиста по фотомаскам — Франклина Кэлка (Franklin Kalk), главного технолога компании Toppan Photomasks — литографическая проекция с использованием жёсткого ультрафиолетового излучения требует значительных доработок, ещё не начав толком использоваться на производстве. Между тем, эта технология предложена ещё в 1985 году — 31 год назад. Тогда проекция с длиной волны 13,5 нм называлась Soft X-Ray и только в 1993 году получила название EUV (Extreme Ultraviolet). Как шутит Франклин, EUV-литографию он начинал изучать в институте и сейчас на старости лет готов к её встрече.

Первое опытное производство с использованием EUV-сканеров показало ряд недостатков оборудования и технологий. Бич современного 193-нм литографического производства — попеременное использование нескольких фотошаблонов для проекции на каждый слой (до четырёх шаблонов) — в значительной степени проявится также в случае EUV-литографии. Промышленное внедрение EUV ожидается с началом выпуска 5-нм чипов и уже для этого техпроцесса может потребоваться больше одной фотомаски на каждый слой. При этом в случае EUV-литографии возникают такие проблемы, как увеличение числа дефектов и повышенное засорение оптической системы и фотошаблонов. Считается, что 20 дефектов на фотошаблон — это близко к идеалу.

Для повышения разрешения оптических систем EUV-сканеров (для снижения числа фотошаблонов при проекции 5 нм и с меньшими технологическими нормами) цифровая апертура оптики должна быть больше 0,5 NA и, скорее всего, анаморфотной. Это означает, что изображения по горизонтали и вертикали будут иметь разный масштаб — х4 в одной плоскости и х8 в другой. Подобную оптическую систему сейчас разрабатывает компания ASML, но когда это будет внедрено на практике, неизвестно.

В то же время ветеран отрасли уверен, что проекция EUV станет последней литографической технологией для выпуска полупроводников. Замены ей не так много, как хотелось бы. Наиболее перспективной технологией, по мнению специалиста, станет технология самоорганизующихся молекулярных структур, например, на основе ДНК. После сборки такие структуры можно использовать как матрицы для печати чипов. Такую технологию активно разрабатывают компании Tokyo Electron и Applied Materials. Прогресс в разработках возможен в течение 5-10 лет.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Intel Core i3 7350K OEM только в Ситилинк!
  • MSI GTX 1060 OC дешевле в Ситилинке
  • Черный, белый, золотой надоели? Вот новый цвет смартфона!




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)