Palit GeForce GTX 1080
Jetstream 8G
Цена 51'310 руб.
ASUS GeForce GTX 1070
STRIX-GTX1070-O8G-GAMING
Цена 37'410 руб.
ASUS GeForce GTX 1070
TURBO-GTX1070-8G
Цена 36'150 руб.

Сервера размещены в

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+0 за неделю, всего: 26893) RSS     
Inno3d GeForce GTX 1070
iChill X4
Цена 33'250 руб.
Gigabyte AMD R9 390
GAMING-8GD
Цена 23'100 руб.
Intel Core i7-6850K
3.6GHz | Socket 2011-V3 | 15Mb
Цена 44'426 руб.



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Ситилинк рушит цены на GTX 1080
  • GTX 1060 за копейки, дешевле GTX 970!!
  • Нерефы GTX 1080 по самой низкой в Москве цене в Ситилинке

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Технология EUV требует доработки, ещё не начав работать

GreenCo 26.02.2016 09:51 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

По мнению специалиста по фотомаскам — Франклина Кэлка (Franklin Kalk), главного технолога компании Toppan Photomasks — литографическая проекция с использованием жёсткого ультрафиолетового излучения требует значительных доработок, ещё не начав толком использоваться на производстве. Между тем, эта технология предложена ещё в 1985 году — 31 год назад. Тогда проекция с длиной волны 13,5 нм называлась Soft X-Ray и только в 1993 году получила название EUV (Extreme Ultraviolet). Как шутит Франклин, EUV-литографию он начинал изучать в институте и сейчас на старости лет готов к её встрече.

Первое опытное производство с использованием EUV-сканеров показало ряд недостатков оборудования и технологий. Бич современного 193-нм литографического производства — попеременное использование нескольких фотошаблонов для проекции на каждый слой (до четырёх шаблонов) — в значительной степени проявится также в случае EUV-литографии. Промышленное внедрение EUV ожидается с началом выпуска 5-нм чипов и уже для этого техпроцесса может потребоваться больше одной фотомаски на каждый слой. При этом в случае EUV-литографии возникают такие проблемы, как увеличение числа дефектов и повышенное засорение оптической системы и фотошаблонов. Считается, что 20 дефектов на фотошаблон — это близко к идеалу.

Для повышения разрешения оптических систем EUV-сканеров (для снижения числа фотошаблонов при проекции 5 нм и с меньшими технологическими нормами) цифровая апертура оптики должна быть больше 0,5 NA и, скорее всего, анаморфотной. Это означает, что изображения по горизонтали и вертикали будут иметь разный масштаб — х4 в одной плоскости и х8 в другой. Подобную оптическую систему сейчас разрабатывает компания ASML, но когда это будет внедрено на практике, неизвестно.

В то же время ветеран отрасли уверен, что проекция EUV станет последней литографической технологией для выпуска полупроводников. Замены ей не так много, как хотелось бы. Наиболее перспективной технологией, по мнению специалиста, станет технология самоорганизующихся молекулярных структур, например, на основе ДНК. После сборки такие структуры можно использовать как матрицы для печати чипов. Такую технологию активно разрабатывают компании Tokyo Electron и Applied Materials. Прогресс в разработках возможен в течение 5-10 лет.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Новейшая ZOTAC GTX 1080 МЕГАДЕШЕВО в Регарде
  • 3Gb GTX 1060 MSI Gaming X в Регарде задешево
  • Крутой нереф GTX 1070 от 30 т.р. в XPERT.RU, дешевле нет нигде
  • GTX 1060 MSI GAMING X нереально дешево в Регарде!




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)