Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Всё глубже и глубже.

реклама

Бельгийский центр Imec опубликовал пресс-релиз , в котором сообщил о создании опытного 5-нм процессора. Сам документ не очень информативный, а вот журналисты сайта EE Times подробно описали суть действий Imec по данному вопросу. Сообщается, что Imec совместно с Cadence создали цифровой проект полноценного процессора со встроенным SRAM-массивом и изготовили два опытных чипа с нормами 5 нм. Но основная задача стояла не просто изготовить решение с заданным техпроцессом, а изучить возможность выпустить 5-нм решение всеми имеющимися на данном этапе средствами.

Следует уточнить, что 5 нм — это длина затвора транзистора. Шаг между проводниками металлизации был снижен до 24 нм. До этого рекордом считалось линейное разрешение 32 нм. Теоретический предел линейного разрешения для 193-нм сканера с использованием иммерсионной литографии — 20 нм. Из этого следует, что использовать 193-нм сканеры для выпуска 3-нм решений и ниже окажется практически невозможным. Тестовый чип был выпущен с использованием только 193-нм сканера, только EUV-сканера и в ходе комбинированного использования 193-нм и EUV-проекции. Во всех случаях использовалась иммерсионная (погружная) литография, которая позволяет увеличить оптическое разрешение сканеров за счёт изменения коэффициента преломления при использовании жидкости.

реклама

Для создания 5-нм кремния с использованием 193-нм сканера потребовалось по четыре фотошаблона на каждый слой металлизации и по три фотошаблона для отверстий сквозной металлизации. Всего было создано 10 слоёв металлизации. Очевидно, что это долго и дорого. При использовании EUV-сканера на каждый слой и отверстия под сквозную металлизацию потребовалось по одному фотошаблону. Однако EUV-сканеры пока обладают низкой производительностью и не могут использоваться с коммерческой выгодой. За сутки современный EUV-сканер может обработать в непрерывном цикле 400 300-мм пластин, тогда как для коммерческого использования требуется скорость от 2000 пластин в сутки.

При смешанном использовании 193-нм и EUV-сканеров каждый слой металлизации выполнялся с помощью четырёх (193-нм) фотошаблонов, а отверстия металлизации изготавливались по одному единственному EUV-шаблону. Последний подход выглядит единственным коммерчески оправданным на сегодняшний и завтрашний день. Подобным образом компании GlobalFoundries и TSMC могут использовать ранние образцы EUV-сканеров при освоении 7-нм техпроцесса. Представители обеих компаний, напомним, допустили возможность частичного использования EUV-проекции при производстве критически важных слоёв в случае внедрения 7-нм технологических норм.

Показать комментарии (37)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают