Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Уплотняемся.

реклама

Вчера стартовало такое ежегодное профильное мероприятие, как конференция Flash Memory Summit 2015. К этому дню все ведущие разработчики и производители флэш-памяти подготовили фирменные разработки и специальные анонсы. Компания Samsung тоже не стала нарушать традицию, и третий год подряд сообщила о покорении нового рубежа в производстве многослойной или монолитной памяти 3D NAND. Так, Samsung уверила, что ею начато массовое производство 256-Гбит 48-слойных микросхем 3D V-NAND с трёхбитововй TLC ячейкой. До этого момента компания выпускала только 128-Гбит 32-слойные чипы 3D V-NAND с двухбитовой MLC и трёхбитововй TLC ячейкой.

По словам разработчика, потребление 48-слойной микросхемы на 30% меньше, чем 32-слойной при условии хранения одинакового объёма данных. При этом продуктивность при производстве 48-слойных микросхем на 40% выше, что означает больший выход изделий при производстве и, в конечном итоге, сулит снижение себестоимости. В накопителях серии 850 EVO SSD 48-слойная память появится чуть позже в текущем году.

реклама

Следует сказать, что пока рано говорить о появлении недорогих и ёмких SSD. По мнению аналитиков, пока при производстве памяти 3D V-NAND уровень брака примерно равен 50% — это существенно выше, чем при производстве планарной флэш-памяти. Также выше стоимость обработки пластин с 3D V-NAND — примерно на 70% применительно к 32-слойным микросхемам и на 75-80 % при производстве 48-слойных микросхем. Так что заметного удешевления SSD пока ждать не стоит. К 2019-2020 году ситуация будет меняться. Компания Samsung перейдёт к выпуску 100-слойных микросхем, а компания SK Hynix — 190-слойных.

Добавим, неделей ранее компания Toshiba сообщила о разработке памяти 3D NAND, аналогичной по структуре и ёмкости сегодняшней новинке Samsung: 48-слойной 256-Гбит TLC. Только к массовому производству подобной памяти компания Toshiba будет готова примерно во втором квартале 2016 года. Компании Intel и Micron окажутся в лучших условиях, когда в конце 2015 года начнут выпуск 384-Гбит 32-слойных TLC микросхем. Себестоимость таких решений в пересчёте на единицу хранения данных будет лучше.

Показать комментарии (14)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают