Для настройки всевозможной контрольно-измерительной техники нужны эталонные образцы — своего рода "линейки". Понятно, что для создания эталонного образца для измерения объектов с размерами в несколько нанометров надо приложить не намного меньше усилий, чем разработать новый техпроцесс. Сейчас эталонном считается ширина элемента 4 нм. Однако для следующих техпроцессов — 11-нм и 7-нм — этого уже недостаточно.

Новый эталон, как и прежний, разрабатывает компания aBeam Technologies в кооперации с Lawrence Berkeley National Lab. Интересно отметить, что основные группы разработчиков aBeam Technologies базируются в различных городах России (Москва, Самара, Санкт-Петербург, Ярославль) а так же в США (Калифорния). Президент компании — Бабин Сергей Владимирович. Одна из актуальной продукции aBeam — это дифракционные решётки со случайной структурой, но с бороздками строго выверенной ширины. Для техпроцессов менее 11 нм компания предложила структуру с шириной бороздок 1,5 нм. Этого достаточно для калибровки оборудования, проверяющего качество полупроводников с нормами 5-7 нм.

В компании не уточняют деталей, как и с помощью каких технологий создан новый эталон. Отмечается только, что технология создания измерительной "нанолинейки" во многом схода с традиционным КМОП-процессом. При этом наиболее существенным отличием от обычных процессов для выпуска полупроводников есть то, что для изготовления решётки используются материалы, обязательно создающие контрастную картинку. В компании для этого часто используют силицид вольфрама, но можно воспользоваться также другими материалами.