Компания Samsung приступила к массовому производству микросхем памяти типа LPDDR4 по технологическим нормам 20-нм класса. Плотность новых кристаллов достигает 8 Гбит, что, как утверждает Samsung в официальном пресс-релизе , является рекордным показателем в отрасли среди других решений LPDDR4. В перспективе Samsung сможет использовать 8-гигабитные кристаллы для выпуска модулей совокупным объёмом 4 Гбайт.

Отмечается, что новая память способна передавать данные на скорости до 3200 Мбит/с (в рассчёте на один вывод), что позволяет использовать её для требовательных задач вроде серийной фотосъёмки и записи и воспроизведения видео сверхвысокого разрешения.

Также Samsung утверждает, что модуль ОЗУ объёмом 2 Гбайт на основе новых микросхем расходует на 40% меньше электроэнергии по сравнению модулем LPDDR4 аналогичного объёма, использующим микросхемы плотностью 4 Гбит.

В настоящее время Samsung ведёт поставки модулей памяти LPDDR4 объёмом 2 и 3 Гбайт на основе микросхем плотностью 8 и 6 Гбит соответственно. В начале 2015 года южнокорейский гигант приступит к поставкам модулей, объём которых достигает 4 Гбайт.