Науке известно множество перспективных технологий памяти, которые могли бы в будущем заменить традиционные компьютерные запоминающие устройства. Одним из примеров таких решений является память на основе фазового перехода (Phase-change memory), работа которой базируется на свойствах некоторых химических веществ, способных переходить из кристаллического состояния в аморфное и обратно при нагревании. Что характерно, технология была предложена полвека назад и активно развивалась гигантами отрасли вроде Intel, Samsung и Micron. Последняя была полна решимости начать массовое производство памяти этого типа ещё в середине 2012 года.

Как пишет сайт EE Times, в действительности перспективы PCM слишком туманны. Память данного типа хотя и отличается более высоким быстродействием по сравнению с флэш-памятью, имеет значительно большую стоимость. Кроме того, возможность трёхмерной компоновки флэш-памяти некоторым образом продлит её существование в качестве доминирующего отраслевого стандарта. Отказались от крупных инициатив по развитию PCM компании Samsung и Micron. В конечном итоге память на основе фазового перехода может найти применение в каких-то нишевых решениях, но вряд ли она сможет претендовать на категорию основного спроса.

Долю оптимизма сохраняет компания IBM, которая ещё верит в потенциал PCM. В частности, голубой гигант продемонстрировал, как такая память может использоваться в системах хранения серверного класса. Также PCM может закрепиться в области оптоэлектроники – соответствующее решение предложено исследователями из Университета Оксфорда и Университета Эксетера.