Официальным пресс-релизом южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила, что она начала выпуск первых в индустрии 64-Гбайт RDIMM-модулей памяти стандарта DDR4. Модуль собран из 36 микросхем, каждая из которых имеет ёмкость 4 Гбит. На первый взгляд, ничего необычного. Сегодня производители научились выпускать даже 8-Гбит микросхемы памяти. Фишка в том, что, как утверждает Samsung, каждая такая 4-Гбит микросхема собрана в стек с помощью новейших технологий по сквозному соединению кристаллов — методом TSVs (through silicon via). Подобные соединения использует новейшая и единственная в индустрии 32-слойная память 3D V-NAND компании. Собственно, Samsung подаёт начало производства новых микросхем DDR4 как развитие технологии и запуск нового оборудования с использованием TSVs.

Как следует из контекста новости, а прямо об этом не говорится, 4-Гбит микросхемы DDR4 собраны из четырёх 1-Гбит кристаллов. В дальнейшем число кристаллов в стеке будет увеличено. За счёт перехода на сквозные соединения и отказ от проводной обвязки кристаллов удалось вполовину сократить потребление микросхем и вдвое увеличить скорость доступа. К сожалению, компания не уточняет диаметр TSVs, заявляя о нескольких дюжинах микрометров, а это достаточно важный параметр, поскольку отверстия в количестве нескольких сотен штук занимают достаточную полезную площадь кристаллов. Также Samsung традиционно не сообщает о цифре масштаба техпроцесса, переводя стрелки на расплывчатое "20-нм класса". Но в целом можно судить о наращивании технологичности при выпуске компьютерной памяти.

Напоследок следует пояснить, что компании Micron и SK Hynix в данном случае едва ли сильно отстают от Samsung. Аналогичным способом компания Micron упаковывает память HMC, а SK Hynix — память HBM. К тому же, ранее Samsung выпускала с использованием 40-нм TSVs-микросхем 8-Гбайт RDIMM (2010 год) и с помощью 30-нм TSVs-чипов 32-Гбайт DRAM RDIMM (2011 год). Поэтому о реальных достижениях Samsung на поприще стековой упаковки памяти мы узнаем только тогда, когда выясним все конструктивные особенности новых микросхем.