Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Mindango
Лучше только память Samsung с вертикальными связями.

реклама

Хотя мероприятие Flash Memory Summit уже давно завершило свою работу, журналисты издания AnandTech нашли повод вернуться к обсуждению флэш-памяти MLC NAND с топологическими нормами 15 нм, которая была разработана SanDisk совместно с Toshiba и представлена на саммите в виде целой 300-миллиметровой пластины.

Зная точный диаметр кремниевой подложки (300 миллиметров), можно установить площадь одного кристалла, сосчитав количество штампов по вертикали и горизонтали. Согласно вычислениям AnandTech, площадь одного кристалла памяти SanDisk-Toshiba составляет 139 квадратных миллиметров, что является лучшим показателем среди других микросхем с плотностью 128 Гбит и "плоской" компоновкой. Немного вперёд вырывается только память Samsung MLC V-NAND, где применяются вертикальные соединения.

реклама

Секрет SanDisk и Toshiba заключается в использовании двунаправленных усилителей считывания и архитектуре All Bit Line (ABL), что позволило сократить размер периферийных цепей и увеличить соотношение количества ячеек памяти к площади кристалла. По оценке AnandTech, в памяти SanDisk-Toshiba это соотношение составляет около 80%, что является типичным показателем для микросхем с плотностью 128 Гбит. Увеличение плотности микросхем обычно ведёт и к росту этого показателя.

Как ожидается, 15-нм память MLC NAND появится в серийных твердотельных накопителях в четвёртом квартале 2014 года.

Написать комментарий (0)

Сейчас обсуждают