Intel Core i3 8100 box
3.6 ГГц, Coffee Lake
Цена 8'750 руб.
LED ТВ 48'' TCL
FULL HD
Цена 32'990 руб.
28'' Samsung U28E590D
Монитор ЖК
Цена 18'280 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 27031) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • IPhone 6 - беспощадный слив в Ситилинке! До сих пор №1 в Топ 100
  • Комп за 415 000р - HP OMEN - смотри характеристики

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Intel представила 14-нм процессоры поколения Broadwell

GreenCo 12.08.2014 10:07 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Вчера состоялся официальный анонс 14-нм процессоров Intel Broadwell. Компания сообщила, что начался массовый выпуск новых решений, как и пошла поставка процессоров OEM-производителям вычислительной техники. Отметим, речь идёт о процессорах для сверхтонких систем и систем два в одном — трансформируемых ноутбуках или планшетах со съёмными клавиатурами — о моделях линейки Core M. Продукция на основе этих процессоров появится ближе к новогодним праздникам. Все прочие категории процессоров Broadwell, включая настольные версии и более производительные модели для ноутбуков, следует ждать только в 2015 году. Компания Intel первой приступила к массовому выпуску решений с использованием 14-нм техпроцесса, но сопровождающиеся с внедрением новых норм трудности затормозили этот процесс на срок от 6 до 9 месяцев.

В перспективе процессоры Broadwell должны стать основой всего спектра продукции, начиная с облачных (серверных) платформ и заканчивая вещами для подключения к Интернет. Техпроцесс с нормами производства 14 нм позволил снизить значение TDP моделей без ухудшения производительности примерно в два раза по сравнению с процессорами предыдущего поколения (Haswell-Y) — до 5-6 Вт. Тем самым сценарное потребление может опускаться до 3 Вт, а может и ниже. По крайней мере, это справедливо для процессоров с литерой Y (ультрабуки и 2-в-1). Столь малое рабочее потребление приведёт к широкому появлению устройств без активного охлаждения.

Уменьшение масштаба техпроцесса производства позволило уменьшить размеры кристалла с 24 х 40 х 1,5 мм до 16,5 х 30 х 1,04 мм (справедливо для двухъядерных Haswell/Broadwell Y). Во втором поколении технология производства вертикальных FinFET транзисторов немного претерпела изменения. Изменилась форма рёбер, а сами рёбра стали выше. Это связано с тем, что для сохранения производительности необходимо было выдержать определённые рабочие токи. Поскольку рабочая поверхность затвора у FinFET — это обе боковые грани и верхняя грань, то компания пошла на увеличение высоты ребра с одновременным уменьшением его толщины. Это также увеличило плотность размещения рёбер (транзисторов).

В таблице выше мы видим данные Intel, дающие возможность сравнить 22-нм техпроцесс и 14-нм. Компания демонстрирует хорошую масштабируемость при смене поколений техпроцесса. Расстояние между рёбрами снижено с 60 до 42 нм, длины затворов уменьшены с 90 до 70 нм, а длины минимальных соединений — с 80 до 52 нм. Другой детальной информации компания пока не предоставила, но обещает сделать это в ближайшем будущем.

Оцените материал →
Теги: broadwell, intel

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Новинка - дешевая GTX 1060 EVGA SC Gaming
  • iPhone 7 - распродажа в Ситилинке. Смотри цену!




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)