Резистивная память или ReRAM (RRAM) имеет массу вариантов практической реализации, хотя в целом её конструкция достаточно проста и представляет собой два скрещённых электрода, между которыми создаются локальные зоны (ячейки) с управляемым переменным сопротивлением. Подавая на электроды ток разной полярности можно увеличивать это сопротивление или уменьшать, тем самым записывая в ячейку определённый бит данных. Более того, сопротивление в ячейке можно создавать с большим числом градаций, что значительно увеличивает число сохраняемых в каждой ячейке бит данных.

Среди прочих разработчиков, а пока на слуху чаще всего возникает мемристор компании HP, отметился также университет Райса. Университетская группа предложила использовать в качестве диэлектрика между управляющими электродами специально обработанный диоксид кремния. В ходе обработки диэлектрик приобретает пористую структуру, после чего на поверхность с обеих сторон наносится сетка электродов и формируются зоны ячеек. Добавим, поры выполнены с использованием нанотехнологий и имеют упорядоченную структуру.

Подача напряжения на электроды вызывает в порах напротив контактных групп возникновение кристаллических токопроводящих нитей. От величины тока будет зависеть число нитей и, следовательно, результирующее сопротивление малому току в режиме чтения. По словам разработчиков, их вариант ячейки ReRAM может записать до девяти бит данных, что является рекордом среди всех существующих вариантов резистивной памяти. Также учёные уверены в 100-кратном превосходстве разработанного варианта ReRAM с точки зрения увеличения числа циклов перезаписи. Наконец, величина напряжения в режиме записи составляет всего 2 вольта, что в 13 раз меньше значения напряжения в случае конкурирующих разработок.

Над проблемой создания недорогой и эффективной памяти ReRAM группа университета Райса трудится около пяти лет. На данном этапе сроки запуска разработки в производство остаются неизвестными. В то же время есть информация, что кто-то из производителей энергонезависимой памяти заинтересовался данной конкретной технологией. Параллельно ведутся работы с целью получить патент на разработку. По всей видимости, что-то может быть известно только после получения патента.