Последние десять лет производители переходят на медные соединения в полупроводниках. До этого для таких целей использовался алюминий. Но медь тоже приблизилась к пределу своих возможностей. Чем тоньше техпроцесс, тем выше вероятность образования раковин и тем интенсивнее идёт процесс диффузного проникновения меди в диэлектрик — электромиграции. Как результат, уровень брака при производстве растёт, как и сокращается время жизни полупроводников. В последнее время медные соединения защищают барьером из тантала и нитрида тантала (TaN/T). Компания Applied Materials предложила дополнительно покрывать медные соединения слоем кобальта. По их оценкам, слой кобальта на порядок сокращает скорость электромиграции атомов меди в пограничные материалы. Отдельные партнёры компании отмечают, что скорость электромиграции в отдельных случаях уменьшалась на два порядка.

Для инкапсуляции меди в кобальт компания Applied Materials предлагает использовать свою платформу Endura Volta. Это устройство уже используется для очистки полупроводниковой пластины от мусора после обработки. Процесс нанесения кобальта на два этапа увеличит цепочку технологических шагов, необходимых для обработки каждой пластины. Однако снижение уровня брака и повышение надёжности электронных схем компенсируют увеличение себестоимости. За прошедший год компания Applied Materials поставила своим клиентам 75 машин Endura Volta. По оценкам разработчика, использование кобальтовой инкапсуляции меди поможет в переходе на техпроцессы с меньшими нормами производства вплоть до 10 нм. В противном случае необходимо отказаться от меди и использовать что-то иное, что тоже деньги и немалые.