Два дня назад компания Samsung объявила о покупке у компании STMicroelectronics лицензии на выпуск 28-нм полупроводников на подложках FD-SOI (fully depleted silicon on insulator). Это пластины с полностью обеднённым слоем изолятора под рабочими кристаллами. Наличие дополнительного слоя высокоэффективного диэлектрика минимизирует токи утечки, а также позволяет увеличить рабочие токи транзисторов и повысить производительность решений на величину до 30%. Что также интересно, обе компании намерены представить единый дизайн-процесс, как это произошло в случае кооперации компаний Samsung и GlobalFoundries. На практике это будет означать, что один и тот же проект (процессор, SoC) без переделки можно будут разместить как на заводе STMicroelectronics в Европе, так и на заводах Samsung. Компания STMicroelectronics уже квалифицировала своё европейское производство для выпуска 28-нм полупроводников на FD-SOI-пластинах, но без партнёра не может приступить к массовому выпуску этих решений.

Компания Samsung в настоящий момент выпускает 28-нм чипы на обычных монолитных пластинах. Теоретически переход на подложки FD-SOI не потребует особенной замены производственного оборудования и даст возможность выпускать обычные 28-нм проекты без редизайна электронных цепей. Иначе говоря, разработчики могут сэкономить на каждом проекте не менее $50 млн. и без каких-либо усилий получить в руки полупроводники с заведомо лучшими характеристиками.

Выпуск 28-нм полупроводников на FD-SOI компания Samsung планирует организовать в начале 2015 года. Чтобы разработчики могли в это же время получить готовую продукцию, компания уже сейчас начала распространять программные инструменты для подготовки цифровых макетов. Это несколько не вяжется с утверждением, что старые 28-нм проекты могут быть выполнены на FD-SOI без переделки. Очевидно, что потенциал связки FD-SOI и 28-нм норм может быть полностью раскрыт лишь в случае разработки проектов с нуля. Впрочем, это может касаться лишь самых производительных решений с максимальной тактовой частотой, тогда как снижение токов утечки автоматически возможно уже при наличии дополнительного изолирующего слоя. Аналитики считают, что подобная комбинация будет весьма кстати при выпуске решений для носимой электроники, для которой энергоэффективные режимы важнее производительности.

Отдельно заметим, что производители уже не рвутся вниз — к меньшим масштабам при производстве. Вместо этого компании пытаются изыскивать скрытые резервы для сохранения действующих техпроцессов. Пример запланированного компанией Samsung выпуска 28-нм решений на FD-SOI — это один из таких вариантов, как и освоение производства 3D-микросхем.