Компания Samsung в конце прошлого года заявила, что готова начать массовое производство микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит по технологическим нормам 20-нм класса. Некоторые корейские издания настолько обрадовались этой новости, что поспешили заявить о возможности появления микросхемы оперативной памяти типа LPDDR4 объёмом 4 Гб внутри нового флагманского смартфона Galaxy S5, который Samsung представит в этом году.

Между тем, заявление конкурирующей SK Hynix способно отрезвить самые горячие головы. В пресс-релизе про выпуск очередной "самой первой в отрасли" микросхемы памяти типа LPDDR4 плотностью 8 Гбит с использованием литографических норм 20-нм класса этот производитель поясняет, что начнёт массовое производство соответствующих микросхем только во второй половине этого года. Память типа LPDDR4 способна обеспечить пропускную способность на уровне 3200 Мбит/с при напряжении всего 1.1 В, тогда как LPDDR3 требует напряжения 1.2 В для вдвое более низкой пропускной способности.

Ведущие производители мобильных устройств, по словам SK Hynix, начнут использовать микросхемы LPDDR4 только в конце этого года, в продажу соответствующие продукты поступят только в 2015 году. Кроме того, доминировать память типа LPDDR4 начнёт только в 2016 году.