Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Чего только не сделаешь, лишь бы заполучить богатого клиента.

реклама

На днях TSMC провела итоговую годовую встречу с партнёрами, в ходе которой уточнила текущее положение дел компании в бизнесе по выпуску контрактных полупроводников. На этом мероприятии основной доклад сделал недавно назначенный на должность содиректора компании Марк Лю (Mark Liu). Центральной темой доклада стало сообщение о планах приступить к выпуску массовых партий 16-нм полупроводников раньше запланированного.

Напомним, компания собиралась приступить к производству с использованием 16-нм FinFET транзисторов в первом квартале 2015 года — через год после запуска в серию 20-нм решений. Однако TSMC приложила изрядно усилий, чтобы начать опытное производство 16-нм полупроводников ещё до конца текущего года. Если верить компании, так называемое риск-производство с использованием 16-нм FinFET транзисторов стартует в течение следующих двух недель — до конца 2013 года. Соответственно, массовый выпуск 16-нм полупроводников на заводах TSMC теперь следует ожидать в четвёртом квартале 2014 года. Это, кстати, обещает привести к тому, что следующие ARM-процессоры, включая 64-битные NVIDIA Tegra 6 (Parker), а также 64-разрядные процессоры компаний Broadcom, Qualcomm и других партнёров TSMC действительно могут появиться в конце 2014 года, а не в 2015 году, как планировалось ранее.

реклама

Основываясь на практическом изучении в компании TSMC опытных образцов 16-нм микросхем, производитель уверен, что по сравнению с 28-нм техпроцессом решения с использованием FinFET транзисторов окажутся на 35% быстрее или на 55% меньше по потреблению в случае сравнимых тактовых частот. При этом рост плотности транзисторов на кристалле для памяти типа SRAM составит двукратное увеличение с сохранением на приемлемом уровне показателей по уровням токов утечки и потребления.

Может показаться, что компания TSMC обещает невероятное, собираясь менее чем за год перейти от выпуска 20-нм полупроводников к 16-нм. Однако на деле всё намного проще. Для выпуска решений с Fin-FET транзисторами компания будет использовать тот же самый 20-нм техпроцесс, что и для 16-нм. Отличие между ними будет лишь в одном: в случае 16-нм продуктов планарные транзисторы будут заменены на "вертикальные", затворы которых будут поставлены на ребро. Фактически мы будем иметь дело с 20-нм техпроцессом, площадь затвора транзисторов которых перенесена и увеличена за счёт боковых граней. Следует понимать, что в случае обычной логики увеличения плотности транзисторов не произойдёт или произойдёт ограниченно. Для массива SRAM предусмотрено использовать только одну грань ребра (затвора), тогда как для транзисторов логики надо будет задействовать обе грани. Отведённая под вертикальный затвор площадь, кстати, равна пятну диаметром 48 нм, а для затворов предусмотрены длины в 30, 34 и 50 нм.

Что касается 20-нм производства, то его "рисковая" стадия уже в прошлом. В заметных объёмах 20-нм продукты компания TSMC обещает начать выпускать в январе нового года. Вполне возможно, тем самым готовится праздник на улице поклонников видеокарт компании NVIDIA. Это обещает подготовить адаптеры поколения Maxwell к февралю или марту 2014 года. Во втором квартале нового года компания TSMC, если верить слухам, приступит к выпуску новых процессоров для компании Apple — 20-нм A8. Всё это вполне может стать реальностью, если всё написанное выше соответствует истинному положению дел в компании. В общем, Maxwell покажет.

Написать комментарий (0)

Сейчас обсуждают