реклама
На днях в Дублине стартовала 22-я ежегодная конференция International Electronics Forum (IEF 2013). Событие это не из ряда вон, но, тем не менее, может принести что-то интересное. Индустрия производства полупроводников приближается к очередному барьеру, который всё ещё не понятно как преодолевать. Снижать нормы производства дальше нельзя. Вернее, это не получается сделать быстро и дёшево. А вкладывать огромные средства для перехода к иным технологиям и материалам — извините, кризис. Такие компании как Intel, Samsung или TSMC ещё могут потрепыхаться. Остальные будут молча стоять в сторонке, и пересчитывать мелочь в кармане.
То, что критиковать легко, подтвердил представитель компании NVIDIA. Одной из негативных причин для дальнейшего прогресса в области производства полупроводников ведущий разработчик компании — Джон Чен (John Chen) — назвал отставание с переходом на обработку 450-мм пластин. В своё время компании Intel, Samsung и TSMC подписали соглашение о планах начать строительство соответствующих заводов до 2012 года. Этому помешал начавшийся в 2008 году финансово-кредитный кризис, а ведь Intel была к этому невероятно близка. Её новый завод в Орегоне построен с учётом требований к размещению нового оборудования. Но, не сложилось.
реклама
Две других проблемы, которые будут иметь решающее влияние на производство полупроводников с нормами ниже 20 нм — это освоение выпуска FinFET транзисторов и себестоимость производства. В последнем случае ситуация усугубляется тем, что будет расти число фотошаблонов для проекции и, следовательно, число циклов, необходимых для обработки каждой пластины, а это время, деньги и возросший уровень брака.
Наконец, при снижении масштаба производства ниже 20 нм начинает играть такой фактор, как взаимодействие транзисторов, расположенных по соседству. Это буквально ставит крест на всех привычных методиках проектирования схемотехники. При всём при этом разработчик считает перспективным переход на новые материалы для затворов, такие как элементы III-V группы из таблицы Менделеева, германий и углеродные нанотрубки.
