Грядущий IDF станет местом откровений о памяти типа DDR4. Соответствующие выступления запланировали компании Intel и G.Skill, а Samsung предвосхитила эти события своим пресс-релизом. Южнокорейский гигант заявляет, что начал массовый выпуск памяти типа DDR4 с использованием технологии 20-нм класса. За последней формулировкой традиционно скрывается некий техпроцесс с нормами в диапазоне от 20 нм до 30 нм.

Микросхемы DDR4 плотностью 4 гигабита позволят создавать модули памяти ёмкостью 16 Гб и 32 Гб, которые найдут применение в серверном оборудовании. По словам производителя, модули памяти типа DDR4-2667 быстрее выпускаемых по такому же техпроцессу модулей типа DDR3-2133, при этом уровень энергопотребления первых ниже на 30%. Для серверного сегмента важны все три характеристики: быстродействие, энергетическая экономичность и высокая плотность. К пресс-релизу Samsung приложила фотографии регистровых модулей памяти типа DDR4-2133 объёмом 32 Гб: