Вчера японская компания Toshiba провела торжественную церемонию, открывающую начало строительства второй очереди на заводе Fab 5 в окрестностях города Йоккаити, что находится на юго-востоке Японии. О планах приступить ко второй фазе строительства сообщалось в начале прошлого месяца. Примечательно, что компания так и не определилась с объёмом инвестиций в новые линии, как и не очертила ожидаемые объёмы выпуска микросхем флэш-памяти NAND-типа, которые этот завод выпускает с 2011 года. Раньше в истории компании не было случая, когда заводы строились наудачу. Теперь же Toshiba заявляет, что срок ввода второй очереди в строй произойдёт не ранее лета 2014 года, но в сроки, определяемые рыночной обстановкой, как и рыночной ситуацией будет определяться объём производства флэш-памяти.

Компанию Toshiba можно понять. Летом прошлого года из-за заметного снижения цен на NAND-флэш ей пришлось на треть сократить объёмы выпуска флэш-памяти. Поэтому лучше иметь пустые цеха, чем цеха с остановленными линиями. К сожалению, с такими настроениями ожидать дальнейшего снижения стоимости флэш-памяти не приходится. Также интересно отметить, что в новом корпусе будет установлено оборудование, способное выпускать трёхмерные микросхемы — так называемую 3D NAND.

В начале месяца всех взбудоражила новость о начале коммерческого выпуска 3D NAND компанией Samsung. Компании Micron и Toshiba, а позднее без особых пресс-релизов и компания SK Hynix, тоже сообщили о потенциальной готовности приступить к выпуску трёхмерных микросхем флэш-памяти. Теперь это для них дело чести. Если говорить о Toshiba, то она планирует приступить к выпуску 3D NAND в первом квартале 2014 года. Так что ориентир на соответствующее оборудование для второй очереди Fab 5 — это актуальный вопрос. Не исключено, что к моменту завершения строительства и оснащению цехов — к лету 2014 года — компания будет иметь чёткие планы относительно темпов по наращиванию производства NAND-флэш.