Intel Core i3 8100 box
3.6 ГГц, Coffee Lake
Цена 8'060 руб.
Gigabyte GTX 1050
Low Profile, OC
Цена 9'500 руб.
Intel Core i5 8600K OEM
3.6 ГГц, Coffee Lake
Цена 18'490 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+0 за неделю, всего: 27038) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Крутая GTX 1070 в продаже в Ситилинке
  • GTX 1080 в Ситилинке в свободной продаже
  • GTX 1050Ti за 18 990р - новая реальность
  • Дешевый IPhone 6 - Номер 12 в Топ 100

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

3D Vertical NAND: Samsung Electronics открывает эру вертикальных микросхем

GreenCo 06.08.2013 09:48 ссылка на материал | версия для печати | обсуждение | архив

Официальным пресс-релизом компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем флэш-памяти с вертикальной компоновкой кристаллов, которые получили красивое название 3D Vertical NAND или 3D V-NAND. В своё время операционная система Windows XP дала толчок к появлению массы продуктов, в названии которых появилась приставка "XP". Нечто подобное мы наблюдаем сейчас, но уже в отношении аббревиатуры "3D". С лёгкой руки Samsung маркетинговые отделы клиентов компании получают возможность внести в свои пресс-релизы новый красивый термин — 3D V-NAND. Но нас-то не проведёшь! Давайте срывать покровы таинственности с этой красоты.

Итак, по словам компании, 3D V-NAND — это многослойная стековая комбинация из кристаллов флэш-памяти, соединённых вертикальными каналами металлизации. Если вы являетесь постоянным читателем нашего сайта, то наверняка вспомните, что стековая сборка из кристаллов придумана и реализована не сегодня и не вчера. Она реально используется более 10 лет. Та же компания Samsung, как и бывшая Elpida, представляли сборки с числом кристаллов в стеке свыше 10 штук. Сегодня стек из двух-четырёх кристаллов — это повсеместное явление. В вертикальных соединениях тоже нет ничего принципиально нового. Компания Samsung не использует в пресс-релизе такой популярный в последнее время термин, как TSVs-соединения, но от "старых" каналов металлизации соединения TSVs отличаются лишь диаметром каналов (в меньшую сторону).

Из всего вышесказанного можно сделать вывод, что Samsung 3D V-NAND — это по-современному оформленная "упаковка" давно обкатанных технологий. Но есть ещё одно новшество — это отказ от обычной конструкции ячейки, использующей для хранения заряда плавающий затвор второго транзистора в пользу так называемой CTF-ловушки заряда (Charge Trap Flash).

По словам разработчиков, дальнейшее снижение масштаба производства флэш-памяти затрудняет использование ячейки с плавающими затворами. Технология Charge Trap Flash даёт возможность отказаться от второго транзистора и, соответственно, затвора. В CTF-ячейке заряд (данные) хранится в специальной изолированной области ячейки, что также предотвращает появление токов утечки и повышает надёжность хранения. В компании уверяют, что надёжность хранения заряда вырастает на порядок. Можно прикинуть, что речь идёт о времени хранения без включения от 30 до 50 лет. Технологию Charge Trap Flash первой предложила как раз компания Samsung. По одним данным это произошло в 2003 году, по другим — в 2006 (технология защищена 300 патентами Samsung). Но на практике первыми NAND флэш-память с CTF-ячейкой стали выпускать такие компании, как Spansion и Elpida Memory, что произошло в 2010 году. Теперь Samsung объединила все три технологии в одном решении — 3D Vertical NAND, на что тоже потребовалось немало сил и искусства.

В дальнейшем, считают в Samsung, производство NAND-флэш пойдёт исключительно по пути стековой компоновки. Уменьшать техпроцесс далее нельзя, поскольку характеристики микросхем будут быстро ухудшаться, а вертикальные конструкции позволяют значительно повысить плотность микросхем памяти. В новой версии Samsung обещает располагать в стек до 24 кристаллов. Что касается современной версии 3D Vertical NAND, то она не отличается рекордной ёмкостью — объём первых 3D V-NAND микросхем равен 128 Гбит, как и у планарных микросхем NAND-флэш Intel и Micron. В дальнейшем компания обещает выпустить сборки объёмом до 1 Тб. И, конечно же, по этому пути последуют все остальные. Ждём аналогичных анонсов от конкурентов.

Оцените материал →
Теги: nand, samsung

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • GTX 1050 Ti ASUS за копейки, дешевле чем из платы ремонта!
  • GTX 1050 - ассортимент упал в два раза. Вот здесь лучшие цены
  • GTX 1050 Ti ASUS за 18 390р - Номер 3 в Топ100 продаж
  • Растут цены на GTX 1050 Ti. Наличие только в Ситилинке




Обсуждение ВКонтакте (скрыть)