Компания SK Hynix объявила о создании первых в мире микросхем памяти LPDDR3 с плотностью 8 Гбит, которые производятся в соответствии с технологическими нормами 20-нм класса. Решения ориентированы на применение в смартфонах, планшетных устройствах и другой мобильной электронике.

Высокая плотность микросхем и их уменьшенная высота позволяют создавать модули оперативной памяти совокупным объёмом до 4 Гбайт. Как отмечает пресс-служба производителя, новые изделия способны работать на эффективной частоте 2133 МГц, что соответствует пропускной способности 8.5 Гбайт/с при одноканальном доступе и 17 Гбайт/с – при двухканальном. Кроме того, микросхемы отличаются меньшим энергопотреблением в сравнении с памятью стандарта LPDDR2: в режиме ожидания расход сократился более чем на 10%.

В настоящее время ведутся поставки образцов новой памяти партнёрам SK Hynix. Массовое производство начнётся в конце этого года.