Чтобы удержаться на месте первого по величине в мире контрактного производителя микросхем, компании TSMC приходится не только вкладывать огромные средства в научные исследования и модернизацию материальных активов, но и придерживаться плана развития, который, нужно заметить, составлен на ближайшую пятилетку. Как пишет сайт DigiTimes, очередной раз подтвердились намерения TSMC перейти на использование 450-миллиметровых кремниевых пластин в 2017 году.

Первая соответствующая производственная линия будет построена в 2016-2017 годах, на фабрике будет установлено оборудование для литографии в глубоком ультрафиолете (EUV). В конце 2017 года на этом промышленном объекте TSMC намерена начать выпуск микросхем с топологическими нормами 10 нм; впоследствии техпроцесс будет уменьшен до 7 нм.

Джей-Кей Ван (JK Wang), вице-президент TSMC, отметил, что поставщики литографического оборудования, не решившиеся на инвестиции в разработку решений для обработки 450-миллиметровых пластин ранее, сейчас изменили свою позицию. Таким образом, каждый крупный производитель готов вложить до 15% своего бюджета на исследовательские и опытно-конструкторские работы в создание технологий, связанных с 450-миллиметровыми пластинами.

Сама TSMC только в этом году потратит $1.5 миллиарда на НИОКР, добавляет DigiTimes. Расходы компании на нужды исследовательского подразделения увеличиваются ежегодно: в 2010 году из бюджета на это было выделено более $1 миллиарда, в 2012 году сумма достигла значения $1.36 миллиарда.

Вице-президент TSMC по международным продажам и маркетингу Джейсон Чень (Jason Chen) также заявил, что производитель планирует в 2013 году в три раза увеличить мощности 28-нм производства, в 2014 году начать массовый выпуск продукции по 20-нм технологии и ускорить темпы освоения 16- и 10-нм технологий.