Компания Intel, как известно, очень дорожит так называемым "законом Мура", который был сформулирован одним из основателей компании Гордоном Муром в 1965 году. Согласно этому эмпирическому принципу, плотность размещения транзисторов на микросхеме должна удваиваться каждые два года. По крайней мере, именно это правило позволяло полупроводниковой промышленности развиваться в экономически обоснованных рамках последние десятилетия.

Выступая на конференции Jeffries Global Technology, глава подразделения Intel Technology Manufacturing Group Уилльям Холт (William Holt) пояснил, что рано или поздно закон Мура прекратит работать, но когда это случится, в Intel с точностью предсказать не берутся. Как сообщает сайт PCWorld, компания Intel уверена в своей способности сохранять действие закона Мура на протяжении ещё нескольких поколений техпроцесса. В любом случае, у Intel найдутся идеи для постоянного совершенствования "строительного материала", из которого создаются микросхемы.

С каждым новым поколением микросхем возникает всё больше технологических и экономических сложностей. Растёт номенклатура дефектов, приходится уделять всё больше внимания мелочам, которые ранее Intel даже не учитывала. Основные идеи по преодолению существующих барьеров на пути уменьшения размеров транзистора сейчас вращаются вокруг новой конструкции транзисторов и иных материалов. В последнем случае перспективным считается применение германия и арсенида галлия.

Перейти на использование кремниевых пластин типоразмера 450 мм компания Intel рассчитывает до конца десятилетия. Предугадать сроки перехода на литографию с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV) ещё сложнее. Иногда, по словам представителей Intel, нужно выждать, пока новая технология вызреет, чтобы избежать излишних проблем с её освоением. Так было с внедрением медных межсоединений и освоением погружной литографии - Intel в этом смысле несколько отстала от конкурентов, зато избежала некоторых технологических осложнений. В компании уверены, что Intel удастся сохранить отрыв от TSMC и Globalfoundries по показателям быстродействия транзисторов, хотя конкуренты и не дремлют.