Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Mindango
Новые изделия быстрее и экономичнее ранее выпущенных аналогов.

реклама

Компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем оперативной памяти LPDDR3 плотностью 4 Гбит с применением литографических технологий 20-нм класса. По словам составителей пресс-релиза, новая память по скоростным характеристикам более чем в два раза превосходит микросхемы LPDDR2 – заявленная скорость передачи данных равна 2133 мегабита в секунду (800 Мбит/с у LPDDR2). Данное преимущество Samsung предлагает использовать, в частности, для воспроизведения видео в формате высокой чёткости на мобильных устройствах.

За счёт перехода на новую технологию производства Samsung удалось на 30% увеличить быстродействие и на 20% снизить энергопотребление микросхем LPDDR3 в сравнении с памятью аналогичного стандарта, изготавливаемой по технологиям 30-нм класса. Samsung будет объединять по четыре микросхемы в корпусе толщиной всего 0.8 миллиметра, получая модули памяти ёмкостью по 2 Гбайт.

реклама

В этом году Samsung намерена наращивать производство микросхем памяти по технологиям 20-нм класса для укрепления своих позиций на рынке DRAM. По оценкам аналитиков, ёмкость данного рынка в 2013 году достигнет $29.6 миллиарда, около $10 миллиардов (35%) будет приходиться на изделия для мобильных устройств.

Показать комментарии (8)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают