Мы давно знаем, что часть процессоров поколения Haswell с графическим ядром GT3 будет разделять подложку с микросхемой eDRAM, известной под кодовым именем Crystalwell. Последняя будет играть роль скоростного кэша для встроенного ускорителя трёхмерной графики. Между тем, информации о том, кто займётся выпуском подходящей памяти для Intel до сегодняшнего дня не оглашалось.

В списке проектов , которые должны быть представлены на симпозиуме VLSI Technology в июне, можно встретить упоминание о способе производства микросхем eDRAM по 22-нм технологии с применением трёхзатворных транзисторов и размещением конденсаторов со структурой "металл-диэлектрик-металл" над разрядной шиной. Выпуском такой памяти процессорный гигант планирует заниматься самостоятельно.

Из обилия узкоспециализированной технической информации напрашивается вывод, что Intel удалось реализовать некоторые особые решения, которые делают её микросхемы eDRAM гораздо эффективнее существующих аналогов. Важно отметить, что данная память будет скоростным кэшем, нивелирующим влияние низкой пропускной способности стандартной шины DDR3, а не самостоятельным видеобуфером.

Возврат Intel к производству памяти может оказать косвенное влияние на деятельность компаний Samsung и SK Hynix, занимающих лидирующие позиции в этой отрасли. Вероятно, Intel не станет спускать излишки продукции в виде самостоятельных изделий, также гигант вряд ли интересуется рынком стандартных микросхем DRAM. Однако, по уровню быстродействия встроенное графическое ядро GT3 процессоров Haswell способно посоперничать с дискретными решениями вроде NVIDIA GeForce GT 650M. Соответственно, после выхода Haswell потребность в младших видеокартах отпадёт, а производители памяти лишатся части заказов на микросхемы, требуемые для их производства.