Компания Micron интересуется возможностью размещения на стандартных модулях оперативной памяти в исполнении DIMM не только микросхем DRAM, но и микросхем флэш-памяти NAND, пишет издание EE Times. По задумке производителя, ёмкость такого гибридного изделия сможет превысить 256 Гбайт, а для передачи данных будет применяться интерфейс DDR4.

Гибридные модули памяти окажутся дороже твёрдотельных накопителей, но Micron считает, что разницу в стоимости с лихвой компенсирует преимущество в быстродействии, обеспечиваемое новым интерфейсом. Важным элементом конструкции модуля станет контроллер HDIMM, связывающий микросхемы DRAM и NAND с центральным процессором.

Micron не забывает о необходимости поддержки гибридной памяти на уровне программного обеспечения. За последние шесть месяцев производитель несколько раз встречался с представителями Microsoft, а к появлению серийных продуктов с поддержкой стандарта DDR4 будет готово ПО для операционной системы Linux.