Принцип работы энергонезависимой флэш-памяти заключается в изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области, которую также называют "карманом". Но эти процессы вызывают изменения в структуре микросхемы, из-за чего ресурс запоминающего устройства ограничен (от 3 до 100 тысяч циклов перезаписи для каждой ячейки в зависимости от типа памяти).

Известно несколько причин "износа" микросхем флэш-памяти, но также известен и способ их восстановления: воздействие высокой температурой. Впрочем, на практике организовать лечение твёрдотельных накопителей достаточно сложно, ведь память необходимо прогревать как минимум до 250°C и при этом поддерживать такую температуру несколько часов кряду.

Инженеры компании Macronix нашли способ восстановления твёрдотельной, встроив в них нагревательные элементы, способные "отжигать" группы ячеек. Кратковременный нагрев ограниченной зоны микросхемы до 800°C возвращает ячейкам работоспособность за доли секунды. Разработчики обещают, что их изобретение увеличит ресурс ячеек до 100 миллионов циклов.

По словам представителей Macronix, механизм починки довольно прост и не требует больших затрат энергии, что позволит применять самовосстанавливающуюся память даже в мобильных устройствах. Подробнее о технологии компания расскажет на мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting, которое пройдёт в период с 10 по 12 декабря в Сан-Франциско.