Компания Samsung первой представила общественности функциональные модули оперативной памяти DDR4. Изделия, демонстрируемые в прошлом году, были основаны на микросхемах, изготовленных по технологии 30 нм класса, и работали при номинальном напряжении 1.2 вольта. Объём модуля составлял всего 2 Гбайт, эффективная частота достигла 2133 МГц.

Впоследствии южнокорейский промышленный гигант неустанно совершенствовал модули памяти, и на осенней сессии IDF 2012 продемонстрировал очередной образец, о котором рассказали журналисты сайта X-bit Labs. Его эффективная частота также равна 2133 МГц, не изменилось и номинальное напряжение, но объём нового модуля вырос до 16 Гбайт.

Модуль RDIMM насчитывает 284 контакта и базируется на микросхемах с маркировкой вида "K4A46045QB", которые, к слову, были замечены и на более ранних образцах. Микросхемы памяти связывает переключатель производства IDT (раньше Samsung использовала решения Texas Instruments).

Кроме того, Samsung показала 300-миллиметровую пластину с кристаллами памяти DDR4, что явно указывает на готовность компании незамедлительно начать серийный выпуск этих изделий. Тем не менее, Samsung говорит о завершении работ над памятью "всего на 98%".

Также стал известен план развития Samsung, который показывает, что в следующем году компания приступит к выпуску экспериментальных изделий с высокой плотностью и эффективной частотой 2400 МГц, в 2014 году появится память DDR4-2666 для серверов. Крайней точкой графика стала память DDR4-3200, запланированная на 2015 год.