Сегодня стало известно, что компания Samsung приступила к строительству фабрики по производству микросхем флэш-памяти NAND в Китае. На возведение промышленного комплекса, который располагается в городе Сиань (провинция Шэньси) южнокорейский гигант потратит около $7 миллиардов, о чём сообщает официальный пресс-релиз. Заметим, что эти вложения станут самыми большими за всю историю Samsung.

На первом этапе строительства Samsung выделит $2.3 миллиарда. Фабрика будет закончена к началу 2014 года, завод сможет выпускать микросхемы памяти для смартфонов, планшетов, ноутбуков и других электронных устройств в соответствии с технологическими нормами 10 нм класса.

В прошлом году Samsung запустила фабрику в Южной Корее. Компания ударными темпами наращивает свои производственные мощности, что, впрочем, неудивительно: по прогнозам аналитиков, спрос на флэш-память будет неуклонно расти, и к 2015 году рынок микросхем NAND увеличится на 49%.