Одним из перспективных путей развития полупроводниковой отрасли давно считается переход на использование кремниевых пластин диаметра 450 мм вместо нынешних 300 мм. В какой-то перспективе увеличение диаметра кремниевой пластины позволяет не только повысить объёмы производства микросхем, но и снизить удельные расходы на выпуск каждой из них.

Сайт EE Times со ссылкой на информационное агентство Reuters сообщает, что тайваньское правительство одобрило инициативу TSMC по строительству фабрики, способной обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 450 мм. Возведение фабрики начнётся в 2014 году в центральной части острова Тайвань.

На строительство фабрики потребуется от $8 до $10 млрд., к моменту выхода на проектную мощность в 2019 году предприятие сможет ежегодно выпускать продукцию на сумму $6,7 млрд. Скорее всего, первая получаемая продукция фабрики будет выпускаться по 20 нм или 14 нм технологическим нормам.