Нет нужды лишний раз упоминать все те преимущества, которые способно дать использование графена в сфере микроэлектроники. Оно ведёт к созданию миниатюрной и высокопроизводительной вычислительной техники, и у графена есть все шансы стать заменой кремнию в обозримом будущем. Вполне естественно, что большое количество специалистов во всём мире работает над вопросом применения данного материала. На сайте Phys.org появилась заметка о прогрессе, достигнутом в этой области учёными из Университета Пенсильвании (США).

Группа исследователей под руководством профессора материаловедения и инженерии Джошуа Робинсона (Joshua Robinson) разработала способ размещения и закрепления многоатомного слоя нитрида бора на слое графена толщиной в один или два атома. По словам авторов исследования, это позволит производить графеновые транзисторы в масштабах, сравнимых с кремниевыми, то есть пластинами диаметром от 75 до 300 миллиметров. Ранее создание пластин графеновых транзисторов такого размера не предоставлялось возможным, и успех специалистов из Пенсильвании является важным шагом на пути к их промышленному производству.